一、產(chǎn)品簡介
HDYM-II便攜式絕緣子鹽密度測試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測,是測量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡稱“鹽密”)的測量儀器,同時(shí)還可以測量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語:
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的短距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)上NACL總量除以表面積,mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。
6、不溶物密度(簡稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。
7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的大值。
9、現(xiàn)場污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
二、功能特點(diǎn)
(1)具有量程自動(dòng)切換功能,測量速度快(2s/次)。
(2)測量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。
(3)中英文界面可自主切換。
(4)采用2.8寸真彩液晶屏幕。
(5)可直接顯示鹽密度、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距。
(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD);
(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對(duì)清洗液的要求。
(8)自動(dòng)將不帶電測量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測量的鹽密度(ESDD)。
(9)可存儲(chǔ)10萬組記錄,并可將記錄保存至SD卡在電腦上讀取。
(10)可查閱、刪除單條記錄,也可刪除所有記錄。
(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場使用。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 測量范圍:
鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))
測量溫度:0℃~100℃
測量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm
3.2 基本誤差:
測量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2
滿量程精度:±2%
測量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃
測量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm
3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。
3.4 環(huán)境濕度: <90%。
3.5 體積與重量
手持主機(jī)尺寸:長210mm*寬100mm*厚36mm。
整機(jī)機(jī)箱尺寸:長335mm*寬260mm*高130mm。
手持主機(jī)重量:約0.5Kg。
整機(jī)重量:約2.5Kg。
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說明一點(diǎn)的是,針對(duì)大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測量時(shí),只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷,而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn);而對(duì)于套管、互感器等小電容量的設(shè)備,測tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷,詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測試引出線套管的tgδ,也要測套管連同繞組的介損tgδ,就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來。
一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示,其他良好絕緣用C 2tgδ2表示,兩部分并聯(lián),則有P1 = C 1 tgδ1 P2 = C 2 tgδ2
而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①
U、ω一定時(shí),P與C、tgδ有關(guān), → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2
則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ
tgδ= (C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2)/(C1 + C2) ②
若套管電容C 1= 250PF,tgδ1= 5% (超差)
而變壓器電容C 2= 10000PF,tgδ2= 0.4% (良好)
從②式可以看出總tgδ= 0.5 % (合格),可見明顯形成了誤判斷。
設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法:因?yàn)榫群挽`敏度的原因,測變壓器和一般套管的介損時(shí)(包括電容式CT),應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測試儀,而當(dāng)測試電容式PT電容量和tgδ時(shí),可采用HD6000異頻介損測試儀,它介紹了CVT的中壓電容C 2 的測試方法,比較方便(自激法)。兩者的原理前者是通過比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差,后者是電橋原理,離散傅立葉算法。一般接線形式主要有二種:正接法:適用于測量兩相對(duì)地絕緣的設(shè)備,測試精度較高,如套管和電容式CT的主絕緣tgδ,耦合電容的的tgδ等;反接法:適用于測量一級(jí)接地的設(shè)備,儀器的外殼必須接地可靠,如變壓器連同套管和繞組的tgδ,套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法,對(duì)角接線等,不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式,取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。
需要說明的是現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件,力求測試精度,如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法,應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺(tái),以達(dá)到兩極絕緣的條件。
對(duì)于CVT中壓電容的tgδ測試,應(yīng)充分理解儀器的操作程序,按照其說明,操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。福州市便攜式絕緣子鹽密度測試儀生產(chǎn)工廠福州市便攜式絕緣子鹽密度測試儀生產(chǎn)工廠
交接規(guī)程的一般要求及條款:電力變壓器:當(dāng)電壓等級(jí)為35KV及以上,且容量在8000KVA以上時(shí),應(yīng)測試tgδ,其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗(yàn)值的130%,對(duì)于300MW或600MW機(jī)組的廠高變,一般未達(dá)到上述要求,交接試驗(yàn)可不作;但一般廠家出廠試驗(yàn)均有該項(xiàng)目的數(shù)據(jù),為充分體現(xiàn)對(duì)用戶負(fù)責(zé)的思想,建議測試以便比較,但不出試驗(yàn)報(bào)告。互感器:規(guī)定了20℃下電流互感器(油紙電容式)的tgδ,220KV≤0.6%,330KV≤0.5,500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi),只針對(duì)主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值,35KV的20℃時(shí)≤3.5%,35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管:現(xiàn)場一般有油紙電容式,20-500KV下,tgδ≤0.7%,電容差值在±10%范圍內(nèi)。說明一點(diǎn),不管電容式CT還是電容式套管,都會(huì)有末屏,應(yīng)在測主絕緣tgδ之