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熱阻測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)T3Ster
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/2/25 12:38:57
  • 訪問(wèn)次數(shù)5484
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公司簡(jiǎn)介:西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司 是一家專業(yè)從事 半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備 研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的*。產(chǎn)品有半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數(shù)及可靠性和老化測(cè)試。靜態(tài)單脈沖(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))動(dòng)態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg)Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。環(huán)境老化測(cè)試(包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等)熱特性測(cè)試(包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等)各類全系列測(cè)試設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和下游產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈)

半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備
熱阻測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù):可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(J-C)散熱:設(shè)備采用水冷散熱,用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性
熱阻測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

 

熱阻測(cè)試儀

T3Ster


產(chǎn)品概述

天光測(cè)控T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng) 是Mentor Graphics公司研發(fā)制造的*的熱瞬態(tài)測(cè)試儀,用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于JEDEC JESD51-1標(biāo)準(zhǔn)*的靜態(tài)測(cè)試方法,通過(guò)改變電子器件的輸入功率,使得器件產(chǎn)生溫度變化,在變化過(guò)程中,T3Ster測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線,僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。配合專為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。

產(chǎn)品特點(diǎn)
●T3Ster
 符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。
●  
 T3Ster兼具JESD51-1定義的靜態(tài)測(cè)試法(Static Mode)與動(dòng)態(tài)測(cè)試法(Dynamic Mode),能夠?qū)崟r(shí)采集器件瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線(包括升溫曲線與降溫曲線),其采樣率高達(dá)1微秒,測(cè)試延遲時(shí)間高達(dá)1微秒,結(jié)溫分辨率高達(dá)0.01℃。
●  天光測(cè)控?zé)嶙铚y(cè)試儀 T3Ster既能測(cè)試穩(wěn)態(tài)熱阻,也能測(cè)試瞬態(tài)熱阻抗。
●  天光測(cè)控?zé)嶙铚y(cè)試儀 T3Ster的研發(fā)者M(jìn)icRed制定了第**個(gè)用于測(cè)試LED的標(biāo)準(zhǔn)JESD51-51,以及LED光熱一體化的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前滿足此標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的光熱一體化測(cè)試要求的。
●  天光測(cè)控?zé)嶙铚y(cè)試儀 T3Ster*的Structure Function(結(jié)構(gòu)函數(shù))分析法,能夠分析器件熱傳導(dǎo)路徑上每層結(jié)構(gòu)的熱學(xué)性能(熱阻和熱容參數(shù)),構(gòu)建器件等效熱學(xué)模型,是器件封裝工藝、可靠性試驗(yàn)、材料熱特性以及接觸熱阻的強(qiáng)大支持工具。因此被譽(yù)為熱測(cè)試中的“X射線”。
●  天光測(cè)控?zé)嶙铚y(cè)試儀 T3Ster可以和熱仿真軟件FloEFD無(wú)縫結(jié)合,將實(shí)際測(cè)試得到的器件熱學(xué)參數(shù)導(dǎo)入仿真軟件進(jìn)行后續(xù)仿真優(yōu)化。
 天光測(cè)控T3Ster熱阻測(cè)試儀——應(yīng)用范圍
●   各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件,包括:常見(jiàn)的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。
●   各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu) 。
●   各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測(cè)試,如熱管、風(fēng)扇等。

天光測(cè)控T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)——主要功能
●   半導(dǎo)體器件結(jié)溫測(cè)量。
●   半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻及瞬態(tài)熱阻抗測(cè)量。
●   半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析,包括器件封裝內(nèi)部每層結(jié)構(gòu)(芯片+焊接層+熱沉等)的熱阻和熱容參數(shù)。
●   半導(dǎo)體器件老化試驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷,幫助用戶準(zhǔn)確定位封裝內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)。
●   材料熱特性測(cè)量(導(dǎo)熱系數(shù)和比熱容)。
●   接觸熱阻測(cè)量,包括導(dǎo)熱膠、新型熱接觸材料的導(dǎo)熱性能測(cè)試。
 
測(cè)試方法——基于電學(xué)法的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)
尋找器件內(nèi)部具有溫度敏感特性的電學(xué)參數(shù),通過(guò)測(cè)量該溫度敏感參數(shù)(TSP)的變化來(lái)得到結(jié)溫的變化。
TSP的選擇:一般選取器件內(nèi)PN結(jié)的正向結(jié)電壓。
 
測(cè)試技術(shù):熱瞬態(tài)測(cè)試
當(dāng)器件的功率發(fā)生變化時(shí),器件的結(jié)溫會(huì)從一個(gè)熱穩(wěn)定狀態(tài)變到另一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),我們的儀器將會(huì)記錄結(jié)溫在這個(gè)過(guò)程中的瞬態(tài)變化曲線。
一次測(cè)試,既可以得到穩(wěn)態(tài)的結(jié)溫?zé)嶙钄?shù)據(jù),也可以得到結(jié)溫隨著時(shí)間的瞬態(tài)變化曲線。
瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線包含了熱流傳導(dǎo)路徑中每層結(jié)構(gòu)的詳細(xì)熱學(xué)信息(熱阻和熱容參數(shù))。
 
配置介紹
 
天光測(cè)控T3Ster熱阻測(cè)試儀主機(jī)

 

 

 

計(jì)算機(jī)控制接口 USB接口,滿足數(shù)據(jù)傳輸提取方便的要求
 測(cè)試時(shí)間以分鐘為單位計(jì)
 結(jié)溫測(cè)試分辨率 0.01℃
*大加熱時(shí)間不限
*小測(cè)試延遲時(shí)間1us(用戶可根據(jù)需要在軟件中調(diào)節(jié)1us~10000s不限)
RC網(wǎng)絡(luò)模型級(jí)數(shù)2-100個(gè)
加熱電流源-2A~2A
加熱電壓源-10V~10V
測(cè)試電流源(4路)-25mA~25mA 
*小測(cè)試延遲時(shí)間(tMD1μs*小采樣時(shí)間間隔(ts1μs
每倍頻采樣點(diǎn)數(shù)400個(gè)(典型值)*大采樣點(diǎn)數(shù)65000個(gè)
測(cè)量通道2個(gè)(*大可擴(kuò)展至8個(gè))
電壓變化測(cè)量檔位400mv/200mv/100mv/50mv
電壓測(cè)量分辨率12μV(以50mV量程計(jì)算)

 
溫度控制設(shè)備  
天光測(cè)控?zé)嶙铚y(cè)試儀T3Ster為客戶提供了三種溫度可控的恒溫設(shè)備,包括:干式溫控儀、濕式溫控儀以及液冷板。這三種恒溫設(shè)備除了能控制待測(cè)器件的溫度以測(cè)試器件的K系數(shù),同時(shí)還能作為結(jié)溫?zé)嶙铚y(cè)試時(shí)器件的散熱環(huán)境,幫助控制器件的殼溫。

干式溫控儀
干式溫控儀采用熱電致冷芯片(Peltier單體)來(lái)控制器件的溫度。

 

 

計(jì)算機(jī)控制接口COM恒溫槽尺寸52*52*10 mm3
溫度控制范圍5 - 90 oC溫度控制精度± 0.2 oC
溫度過(guò)載保護(hù)95 oC散熱功率8W

 

 
濕式溫控儀
濕式溫控儀采用油浴的方式來(lái)控制待測(cè)器件的溫度,使用時(shí)將待測(cè)器件浸沒(méi)在液體中以獲得恒溫環(huán)境。此外天光測(cè)控?zé)嶙铚y(cè)試儀T3Ster提供的濕式溫控儀還可以作為一個(gè)動(dòng)力泵,驅(qū)動(dòng)外接的液冷板以控制液冷板的溫度。

 

型號(hào)溫度范圍(℃)溫度穩(wěn)定性(℃)加熱功率(KW)制冷功率
20℃(KW)
油槽尺寸
(W×L/D cm)
F25-HE-28~200±0.0120.2612×14/14
F32-HE-35~200±0.0120.4518×12/15
F34-HE-30~150±0.0120.4524×30/15

 

 
液冷板
液冷板的作用:與濕式溫控儀配套使用,可以控制冷板的溫度,為測(cè)試器件的結(jié)溫、熱阻提供恒定的溫度環(huán)境。

(1)外觀尺寸:550*160*110 mm;
(2)單板尺寸:540*140*20 mm;      
(3)材質(zhì):硬級(jí)鋁。
 
天光測(cè)控T3Ster-Gold ref/熱測(cè)試儀校正樣品(Golden Reference)
性能穩(wěn)定的半導(dǎo)體器件,方便用戶定期檢測(cè)測(cè)試主機(jī)的功能是否正常。
 
標(biāo)準(zhǔn)靜止空氣箱(still-air chamber)
1)滿足JEDEC JESD 51-2要求
2)尺寸:1立方英尺

 

 

熱電偶前置放大器
1)方便T3Ster主機(jī)與J, K或 T 型熱電偶的聯(lián)接。
2)T3Ster主機(jī)可以方便地測(cè)試熱電偶接觸點(diǎn)的溫度隨著時(shí)間變化的曲線。

大功率BOOSTER

高電流模式
單通道
38A/40V50A/30V200A/7V
測(cè)試電流:0~200mA測(cè)試電流:0~200mA測(cè)試電流:0~500mA
  柵極電壓源:15V
雙通道
38A/40V50A/30V [1] 
三通道
  200A/7V [2]


 
 
 注解:【1】通過(guò)雙通道并聯(lián),輸出電流*高可達(dá)100A
           【2】通過(guò)三通道并聯(lián),輸出電流*高可達(dá)600A

單通道高電流booster

雙通道高電流booster
 

 

高電壓模式
單通道
10A/100V10A/150V10A/280V
測(cè)試電流:0~200mA測(cè)試電流:0~200mA測(cè)試電流:0~200mA
雙通道
 10A/150V10A/280V

 

單通道高電壓booster  

雙通道高電壓booster
 
TeraLED
1)*符合CIE 127-2007關(guān)于LED光測(cè)試的要求。
2)配合T3Ster可以滿足JESD 51-52規(guī)定的LED光熱一體化測(cè)試的要求。
3)整套系統(tǒng)包括:Φ300mm或Φ500mm積分球1個(gè),參考LED1個(gè),多功能光度探頭1個(gè),TERALED控制系統(tǒng)1套,恒溫基座1個(gè)。
 

 
數(shù)據(jù)分析軟件(T3Ster Master)
天光測(cè)控T3Ster熱阻測(cè)試儀的數(shù)據(jù)分析軟件T3SterMaster提供了數(shù)據(jù)的分析功能,幾秒鐘內(nèi),軟件就可以將采集的數(shù)據(jù)以結(jié)構(gòu)函數(shù)的形式表現(xiàn)出來(lái)。測(cè)試結(jié)果包括:測(cè)量參數(shù)(Record Parameters),測(cè)量得到的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線(Measured response),分析后的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線(Smoothed response),熱阻抗曲線(Zth),時(shí)間常數(shù)譜(Tau Intensity),頻域分析(Complex Locus),脈沖熱阻(Pulse Thermal Resistance),積分結(jié)構(gòu)函數(shù)以及微分結(jié)構(gòu)函數(shù)。

關(guān)鍵詞:控制器 熱電偶
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