儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)
測(cè)量范圍
電阻率:10-5~105 Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:10-4~106 Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:10-5~105 s/cm;
電阻:10-5~105 Ω;
恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表
量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;
基本指標(biāo)
間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機(jī)械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);