脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)
產(chǎn)品描述:荷蘭TSST公司提供專業(yè)的脈沖激光沉積系統(tǒng)和激光分子束外延系統(tǒng)。
荷蘭Twente Solid State Technology BV(TSST)公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD),以及相關薄膜制備解決方案,公司具有20多年研究與生產(chǎn)脈沖激光沉積系統(tǒng)的經(jīng)驗。
TSST與大的納米與微系統(tǒng)技術研究中心之一荷蘭Twente大學MESA+ Institute保持著密切合作,開發(fā)出各種脈沖激光沉積技術中需要使用的核心技術。
脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。
激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE),是在PLD的基礎上發(fā)展起來的外延薄膜生長技術。
在高氧氣壓力環(huán)境下實現(xiàn)RHEED原位監(jiān)控,曾是RHEED分析的一個重要難題,TSST個提出差分抽氣的方式實現(xiàn)高壓環(huán)境下RHEED原位監(jiān)控---TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的發(fā)明人,在系統(tǒng)制造和RHEED的使用,以及結果分析方面,有豐富的經(jīng)驗。
選件
脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。
應用領域:
單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3)
壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3)
鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4)
熱電薄膜(SrTiO3)
金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3)
半導體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3)
高K介質薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5)
超導薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)
光波導,光學薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2)
超疏水薄膜(PTFE)
紅外探測薄膜(V2O5,PZT)