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半導(dǎo)體器件I-V測試系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱濟(jì)南創(chuàng)譜儀器有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2021/7/21 18:59:22
  • 訪問次數(shù)283
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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濟(jì)南創(chuàng)譜儀器有限公司是一家集光學(xué)、精密機(jī)械、電子、計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體的高科技企業(yè)。目前公司的手動(dòng)探針臺、光學(xué)隔振平臺、光學(xué)積分球、電控位移臺、手動(dòng)位移臺、光學(xué)調(diào)整架等產(chǎn)品已經(jīng)形成產(chǎn)品系列化,規(guī)格多元化,國內(nèi)多家科研單位、激光加工設(shè)備廠商、光纖設(shè)備廠商在使用我們的產(chǎn)品。 創(chuàng)譜儀器主要生產(chǎn)經(jīng)營:光源(氙燈/光催化氙燈光源,鹵鎢燈光源,氘燈,汞燈,多波長可調(diào)光源,激光器)、分光單色儀、光學(xué)積分球、光電探測器、數(shù)據(jù)采集器、光譜測量系統(tǒng)、電控精密位移臺、手動(dòng)精密位移臺、光學(xué)調(diào)整架、光學(xué)平臺、光學(xué)元件等系列產(chǎn)品。   我們誠心聆聽用戶的需要與批評,作為不斷改進(jìn)的動(dòng)力,能讓您滿意創(chuàng)譜儀器的產(chǎn)品及服務(wù),就是我們的成就。我們堅(jiān)持從設(shè)計(jì)、零件選型、制造、裝配、檢驗(yàn)、包裝、運(yùn)輸、直到售后服務(wù)做好質(zhì)量保證,就是要讓您 “付有所值”,以合理的價(jià)位得到優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,這是我們對您選擇創(chuàng)譜儀器真誠的回報(bào)。   濟(jì)南創(chuàng)譜儀器始終以滿足用戶需求為宗旨,分別于北京、 深圳設(shè)立分公司,為用戶提供及時(shí)周到的銷售與技術(shù)服務(wù)。“研發(fā)創(chuàng)新、優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品、高效服務(wù)” 是我們的經(jīng)營理念, 公司長期重視優(yōu)質(zhì)高效、短時(shí)間為客戶開發(fā)產(chǎn)品及提供技術(shù)支持。濟(jì)南創(chuàng)譜儀器真誠的希望與國內(nèi)外同仁攜手合作,為推動(dòng)我國光電產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
光學(xué)平臺
產(chǎn)品簡介 : 1.標(biāo)準(zhǔn)探針臺 2.光學(xué)隔振平臺CPPT-A66,臺面600*600mm含支架 3.筆記本電腦/臺式電腦(標(biāo)準(zhǔn)的VGA接口和USB接口) 4.美國吉時(shí)利2400數(shù)字源表含軟件
半導(dǎo)體器件I-V測試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

產(chǎn)品信息:

 直流I-V測試是表征微電子器件、工藝以及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析,或者I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。 
 創(chuàng)譜儀器CPIV-SD半導(dǎo)體器件IV特性測試系統(tǒng)采用高精度,高漏電精度探針臺、數(shù)字源表以及上位機(jī)軟件組成;

產(chǎn)品特點(diǎn):
◆CPZH系列探針臺:4寸/6寸樣品盤,漏電精度100fA,真空吸附,3微米探針移動(dòng)精度,10微米針尖,2000萬CCD成像,12寸顯示器

◆吉士利數(shù)字源表:

                (雙電極)單通道選用2450,電壓量程:20mV-200V;電流量程:10nA-1A

                (三端器件等)雙通道選用2602B,電壓量程:100nV-40V;電流量程:0.1fA-10A

◆IV測試軟件:

 可以實(shí)現(xiàn):單階恒流輸出、單階恒壓輸出、電阻測量、多階恒流輸出、多階恒壓輸出、電流掃描、電壓掃描、電流電壓波形輸出、溫度測量-PT100鉑電阻

 在測試的過程中,測量數(shù)據(jù)以圖形和表格的方式實(shí)時(shí)顯示,在切換到下一步驟后,顯示數(shù)據(jù)界面重新進(jìn)行初始化,同時(shí)系統(tǒng)信息窗口提示當(dāng)前正在執(zhí)行的步驟。

產(chǎn)品應(yīng)用:
二極管特性的測量與分析
雙極型晶體管BJT特性的測量與分析 
MOSFET場效應(yīng)晶體管特性的測量與分析
MOS 器件的參數(shù)提取

實(shí)測曲線:
                    實(shí)測雙端器件IV測試曲線

實(shí)測雙端器件IV測試曲線
                                           實(shí)測三端器件IV測試曲線

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