光電探測(cè)器
光電倍增管探測(cè)器
型號(hào) | PMT類(lèi)型，冷卻方式 | 光譜范圍 | 備注 |
1911 (F 或G) | R928 多堿光陰極PMT，風(fēng)冷，側(cè)窗口 | 190-860 nm | 需要200-1200V高壓電源 |
1912 (F 或G) | S1 R406 PMT，水冷或TE制冷，側(cè)窗口 | 400-1100 nm | 需要高壓電源，電壓可到1500V。雖然光子計(jì)數(shù)器能近似實(shí)現(xiàn)，建議使用電流輸入。還包括1630C棱鏡接口 |
1913 (F 或G) | R943-02 砷化鎵PMT，水冷或TE制冷，頂端窗口 | 200-930 nm | 建議采用光子計(jì)數(shù)。需要1500V高壓電源，電壓可達(dá)1800V。還包括1630C棱鏡接口. |
1914 (F 或G) | 多堿光陰極PMT，水冷或TE制冷，側(cè)窗口 | 190-860 nm | 需要高壓電源，電壓可達(dá)1500V。采用電流輸入或光子計(jì)數(shù)器。還包括1630C棱鏡接口. |
光電發(fā)射式探測(cè)器
型號(hào) | 冷卻方式 | 光譜范圍 | NEP | 備注 |
硅(Si) | 無(wú)冷卻 | 0.2 - 1.1 微米 | - | 無(wú)放大，大感光面積10x10mm。NEP由模擬輸入決定 |
硅(Si) | 無(wú)冷卻 | 0.3 - 1.1 微米 | 2 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供電 |
鍺(Ge) | 無(wú)冷卻 | 0.8 - 1.8 微米 | 7 x 10-13 | 前置放大，要求±15V 供電 |
鍺(Ge) | TE制冷 | 0.8 - 1.75 微米 | 5 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供電 |
銦鎵砷 | 無(wú)冷卻 | 0.8 - 1.7 微米 | 6 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供電 |
銦鎵砷 | TE制冷 | 0.8 - 1.65 微米 | 1 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供電 |
銦鎵砷 | 液氮冷卻 | 0.8 - 1.6 微米 | 1 x 10-15 | 前置放大，要求±15V 供電 |
砷化銦 | 無(wú)冷卻 | 1 - 3.6 微米 | 2 x 10-10 | 前置放大，要求±15V 供電 |
砷化銦 | TE制冷 | 1 - 3.55 微米 | 1 x 10-11 | 前置放大，要求 +/-15V 供電 |
銻化銦 | 液氮冷卻 | 2 - 5.5 微米 | 1 x 10-12 | 前置放大，要求±15V 供電 |
光電導(dǎo)式探測(cè)器
型號(hào) | 冷卻方式 | 光譜范圍 | NEP | 備注 |
硫化鉛(PbS) | 無(wú)冷卻 | 1 - 3微米 | 2 x 10-12 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度在 100-500Hz |
硫化鉛(PbS) | TE制冷 | 1 - 3微米 | 1 x 10-12 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度在 100-500Hz |
硒化鉛(PbSe) | 無(wú)冷卻 | 1 - 5微米 | 5 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度1KHz |
硒化鉛(PbSe) | TE制冷 | 1 - 5微米 | 2 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度 1KHz |
碲鎘汞(HgCdTe) | TE制冷 | 1 - 5微米* | 1 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度 1KHz. *波長(zhǎng)響應(yīng)隨工作光譜范圍變化. |
碲鎘汞(HgCdTe) | TE制冷 | 1 - 10微米* | 1 x 10-8 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度 2KHz - 10KHz. *波長(zhǎng)響應(yīng)隨工作光譜范圍變化. |
碲鎘汞(HgCdTe) | 液氮冷卻 | 1 - 14微米* | 6 x 10-12 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度 2KHz - 14KHz. *波長(zhǎng)響應(yīng)隨工作光譜范圍變化. |
碲鎘汞(HgCdTe) | 液氮冷卻 | 1 - 20微米* | 2 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供電，斬波速度 2KHz - 20KHz. *波長(zhǎng)響應(yīng)隨工作光譜范圍變化. |
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