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IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

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具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌其他品牌
型號E300
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2024/1/30 16:26:53
訪問次數(shù)483

產(chǎn)品標簽:

高電壓源測單元 IGBT器件參數(shù)測試 IGBT高壓測試國產(chǎn)源測單元國產(chǎn)SMU源測單元

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武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國光谷”，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè)，擁有以碩士、博士學歷為主的研發(fā)團隊和經(jīng)驗豐富的管理服務(wù)團隊。
普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心，追求可持續(xù)發(fā)展為道路，精益求精，堅持不懈，努力將自身打造成行業(yè)B桿。

展開顯示更多內(nèi)容

源表,數(shù)字源表,脈沖電流源,脈沖源表,VCSEL測試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介在線詢價

產(chǎn)地	國產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
自動化程度	半自動	測試范圍	0~3000V，0~100mA
輸出電壓建立時間	< 5ms；	輸出接口	KHV（三同軸），支持四線測量；

IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導體器件的測試工藝

IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備產(chǎn)品信息

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

那么IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

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E300高電壓源測單元

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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