單晶硅壓力變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復(fù)合硅、擴散硅材料，芯片采用單晶硅雙梁懸浮式技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點，并從設(shè)計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，適用于工業(yè)過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領(lǐng)域。
一、單晶硅壓力變送器性能特點：
1、高純度單晶硅材質(zhì)，有效提高產(chǎn)品壽命及長期穩(wěn)定性
2、雙惠斯通電橋設(shè)計，“雙梁”電阻溫度特性互補，提高芯片抗力
3、LCD帶背光顯示數(shù)字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及0~99%模擬指示
4、通過按鍵組合操作能實現(xiàn)調(diào)零和調(diào)滿功能，以及數(shù)據(jù)恢復(fù)功能，方便了現(xiàn)場調(diào)試
5、信號轉(zhuǎn)換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路（ASICS）使智能變送器具有高穩(wěn)定、高可靠、高抗震等特點，并具有良好的互換性
二、單晶硅壓力變送器技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號：SK3351JGP-單晶硅夾板式壓力變送器SK3351JTG-單晶硅直裝式壓力變送器
測量原理：單晶硅懸浮式
適用場合：水壓、油壓、氣壓、負(fù)壓
測量范圍：0~40MPa量程可選
測量精度：±0.25%；±0.1%；±0.075%
電源：DC10.5~45V
輸出：DC4~20mA+HART
三、單晶硅壓力變送器產(chǎn)品選型：
壓力變送器 | ||||||||||||
結(jié)構(gòu)形式 | GP | 智能夾板式 | ||||||||||
TG | 智能直裝式 | |||||||||||
量程范圍 | 代碼 | 量程單位 | ||||||||||
KPa | InH2O | mBar | mmH2O | |||||||||
CP3 | 0~10 | 0~40 | 0~100 | 0~1000 | ||||||||
CP4 | 0~40 | 0~160 | 0~400 | 0~4000 | ||||||||
CP5 | 0~100 | 0~400 | 0~1000 | 0~10000 | ||||||||
CP6 | 0~400 | 0~1600 | 0~4000 | 0~40000 | ||||||||
CP7 | 0~4×103 | 0~16×103 | 0~40×103 | 0~400×103 | ||||||||
CP8 | 0~10×103 | 0~40×103 | 0~100×103 | 0~1000×103 | ||||||||
CP9 | 0~40×103 | 0~160×103 | 0~400×103 | 0~4000×103 | ||||||||
輸出信號 | S | 4~20Ma+HART協(xié)議 | ||||||||||
T | 特殊要求 | |||||||||||
精度等級 | I75 | 0.075%± | ||||||||||
I1 | 0.1%± | |||||||||||
I2 | 0.25%± | |||||||||||
顯示方式 | M3 | 液晶顯示 | ||||||||||
連接型式及尺寸 | R | M20*1.5（TG型） | ||||||||||
C2 | 丁字形螺紋接頭M20×1.5，帶Ф14焊接引壓管（GP型） | |||||||||||
Y | 用戶約定 | |||||||||||
安裝支架型式（GP型） | B1 | 管裝彎支架 | ||||||||||
B2 | 板裝彎支架 | |||||||||||
B3 | 管裝平支架 | |||||||||||
隔爆等級 | B | ExdiiCT6 | ||||||||||
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