單晶硅爐冷凍
單晶爐是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為?環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)*為復(fù)雜。而單晶硅棒的生產(chǎn)對環(huán)境要求非常高,爐體溫度過高,則會造成爐體變形,從而影響設(shè)備尺寸的變化,對單晶硅棒的生長造成了很大的影響。爐體長期處于高溫環(huán)境的工作狀態(tài),會使?fàn)t體出現(xiàn)裂縫等,對爐體造成損傷,降低爐體的使用壽命。
為降低單晶爐工作過程中的溫度,一般在單晶爐內(nèi)設(shè)置冷卻結(jié)構(gòu),通過冷卻水循環(huán)系統(tǒng)帶走單晶爐內(nèi)部的熱量,從而降低單晶爐內(nèi)部的溫度。但是水冷系統(tǒng)需要配備冷水機(jī)組、冷卻水池、冷卻水泵及熱交換器等設(shè)備,整個系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,占用空間大,且對水質(zhì)、流速都有特殊的要求,安裝和使用均比較麻煩。
半導(dǎo)體工藝設(shè)備為半導(dǎo)體大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ)。摩爾定律,給電子業(yè)描繪的前景,必將是未來半導(dǎo)體器件的集成化、微型化程度更高,功能更強(qiáng)大。這里先介紹半導(dǎo)體工藝的頭道工序——單晶體拉胚的單晶爐。
單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。
單晶硅爐型號有兩種命名方式,一種為投料量,一種為爐室直徑。比如 120、150 等型號是由投料量決定, 85 爐則是指主爐筒的直徑大小。
單晶硅爐冷凍的主體構(gòu)成由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。
單晶硅片工藝流程
硅,Si,地球上含硅的東西很多,好像90%以上都是晶硅的,也就是單晶硅。太陽能級別的硅純度6N以上就可以了。
開始是石頭,(石頭都含硅),把石頭加熱,變成液態(tài),再加熱變成氣態(tài),把氣體通過一個密封的大箱子,箱子里有N多的子晶加熱,兩頭用石墨夾住,氣體通過這個箱子,子晶會把氣體中的一種吸符到子晶上,子晶慢慢就變粗了,因?yàn)槭菤怏w變固體,所以很慢,一個月左右,箱子里有就了很多長長的原生多晶硅。
單晶硅片由此進(jìn)入生產(chǎn)流程:
1、酸洗:使用稀硝酸HNO3,進(jìn)行清洗,去除表面雜質(zhì)及提煉時產(chǎn)生的四氯化硅。
2、清洗:清洗硅料經(jīng)過酸洗后的殘留雜質(zhì)。