VLF真空感應(yīng)熔煉爐
| 型號(hào) | VLF-Fz | ||
加熱溫度 |
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懸浮電源 | 輸入功率 | 110KW | ||
輸出功率 | 162KW | |||
采用電源 | IGBT懸浮專用電源 | |||
振蕩頻率 | 1-20KHZ(頻率自動(dòng)跟蹤) | |||
冷卻水要求 | 電源≥0.2MPa 坩堝 ≥0.35MPa | |||
感應(yīng)線圈 | 懸浮爐專用線圈 | |||
輸入電壓 | 三相380V 50 HZ | |||
融化速率 | 10~15min | |||
坩堝 | 懸浮專用水冷銅坩堝 | |||
坩堝內(nèi)尺寸 | Dia | |||
腔體真空度 | < 5X10 -3Pa | |||
腔體內(nèi)尺寸 | Dia750X800mm | |||
斷偶保護(hù)和顯示 | 有 | |||
過(guò)溫保護(hù) | 有 | |||
過(guò)流保護(hù) | 有 | |||
欠壓保護(hù)(水壓) | 有 | |||
提拉和下降機(jī)構(gòu)
| 精密可旋轉(zhuǎn)(籽晶桿可旋轉(zhuǎn))提拉機(jī)構(gòu),提拉速度為0.1μm/s~2000μm/s 總行程:150mm (可根據(jù)客戶需要定制) 轉(zhuǎn)速:0-40RPM 可快速手動(dòng)提拉 提拉速度和行程均可在儀器自帶觸摸屏上設(shè)置 | |||
紅外測(cè)溫儀(選購(gòu)) | 1、美國(guó)進(jìn)口紅外測(cè)溫儀,特點(diǎn)1、響應(yīng)時(shí)間快、高精度; 2、可24小時(shí)實(shí)時(shí)連續(xù)在線測(cè)溫、安全、耐用; 3、激光瞄準(zhǔn)、穩(wěn)定性好、尤其適合測(cè)量高溫小目標(biāo); 4、10毫秒的響應(yīng)時(shí)間和±0.3%的重復(fù)性精度,保證滿足您進(jìn)行快速、精確測(cè)溫的要求。 | |||
坩堝可傾倒旋轉(zhuǎn)角度 | 0-360度 (可任意角度偏轉(zhuǎn)) | |||
真空腔體內(nèi)是否可接水冷坩堝 | 可以 | |||
觀察窗尺寸 | Dia 90mm | |||
真空機(jī)組
| 機(jī)組輸入電壓 | 380V /220V | ||
波紋管 | KF40X1000 | |||
真空擋板閥 | KF40 | |||
分子泵
(方案一)
| 分子泵型號(hào) | FJ620 | ||
輸入電壓 | 220V | |||
分子泵進(jìn)氣口法蘭 | DN160 | |||
分子泵抽氣速率 L/S(對(duì)空氣) | 600 | |||
分子泵極限壓強(qiáng)(Pa) | 6×10-7 | |||
冷卻方式 | 水冷 | |||
冷卻水壓(MPa) | 0.1-0.2 | |||
冷卻水溫度 | <25℃ | |||
環(huán)境溫度 | 0~40℃ | |||
建議啟動(dòng)壓強(qiáng) | <10Pa | |||
前機(jī)真空泵TRP-24
| 功率 | 0.75KW | ||
電壓 | 220V | |||
轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | |||
進(jìn)氣口徑 | KF25/KF40 | |||
前機(jī)泵抽氣速率 (L/S) | 6 | |||
極限壓強(qiáng) | 4X10 -2Pa | |||
擴(kuò)散泵TK150
| 電壓 | 220V | ||
功率 | 1000W | |||
極限真空度 (在無(wú)泄露時(shí)) | 10E-5 | |||
進(jìn)氣接口 | DN150 | |||
出氣接口 | DN40 | |||
注入油量 | 0.3L | |||
抽氣速率(N2) | 1000L/S | |||
復(fù)合真空計(jì)
| 復(fù)合真空計(jì)型號(hào) | ZDF | ||
電源 | 220V 55W | |||
控制精度 | ± 1% | |||
真空計(jì)測(cè)量范圍 | 10-5 -10 5 Pa | |||
水冷機(jī) | 功率 | 30KW | ||
制冷量 | 84.8KW | |||
冷媒 | R22 | |||
泵浦功率 | 4.4KW | |||
電源 | 380V 50Hz |
區(qū)熔法是利用熱能在半導(dǎo)體棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),再熔接單晶籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動(dòng),通過(guò)整根棒料,生長(zhǎng)成一根單晶,晶向與籽晶的相同。
區(qū)熔法分為兩種:水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長(zhǎng)。后者主要用于硅,這是由于硅的熔點(diǎn)高,化學(xué)性能活潑, 容易受到異物的玷污,難以找到適合的舟皿,不能采用水平區(qū)熔法。
如果需要生長(zhǎng)純度的硅單晶,其技術(shù)選擇首先是懸浮區(qū)熔提煉,其次是直拉法。區(qū)熔法可以得到低至1011cm-1的載流子濃度。區(qū)熔生長(zhǎng)技術(shù)的基本特點(diǎn)是樣品的熔化部分是由固體部分支撐的,不需要坩堝。柱狀的高純多晶材料固定于卡盤(pán),一個(gè)金屬線圈沿多晶長(zhǎng)度方向緩慢移動(dòng)并通過(guò)柱狀多晶,在金屬線圈中通過(guò)高功率的射頻電流,射頻功率技法的電磁場(chǎng)將在多晶柱中引起渦流,產(chǎn)生焦耳熱,通過(guò)調(diào)整線圈功率,可以使得多晶柱線圈內(nèi)部的部分熔化,線圈移過(guò)后,熔料再結(jié)晶為單晶。另一種使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦電子束。整個(gè)區(qū)熔生長(zhǎng)裝置可置于真空系統(tǒng)中,或者有保護(hù)氣氛的封閉腔室內(nèi)。
采用懸浮區(qū)熔法生長(zhǎng)硅單晶時(shí),熔區(qū)懸浮于多晶硅棒與下方生長(zhǎng)出的單晶之間,故稱為懸浮區(qū)熔法。由于在熔化和生長(zhǎng)硅單晶過(guò)程中,不使用石英坩堝等容器,故又稱為無(wú)坩堝區(qū)熔法。因?yàn)楣枞垠w密度?。?.3 g/cm)并有一定的表面張力,加上高頻電磁場(chǎng)的托浮作用,所以熔區(qū)易保持穩(wěn)定。
懸浮區(qū)熔法除了可用于上述的單晶硅制備外,還可用于提純多晶硅。后者主要是利用硅中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng),獲得高純多晶硅。區(qū)熔可在保護(hù)氣氛(氬、氫)中進(jìn)行,也可在真空中進(jìn)行,且可反復(fù)提純(尤其在真空中蒸發(fā)速度更快),特別適用于制備高阻硅單晶和探測(cè)器級(jí)高純硅單晶。此外,區(qū)熔法是檢驗(yàn)多晶硅的純度的手段之一。
區(qū)域的溫度應(yīng)略高于材料的熔點(diǎn)。在材料棒自上而下的移動(dòng)過(guò)程中,被加熱部分經(jīng)歷了熔化和結(jié)晶的過(guò)程,最終形成了一個(gè)單晶棒。在整個(gè)過(guò)程中,材料棒是架空的,不與任何容器接觸,避免了坩禍對(duì)材料的污染,可以用于制備高純度的晶體。這種方法特別適合于制備高熔點(diǎn)金屬或氧化物的單晶體。在用于提純時(shí),常將上述過(guò)程重復(fù)數(shù)次,由于不同溫度下,雜質(zhì)在固體中的溶解度不同,可以使固體中的雜質(zhì)匯集在棒的一端。
供貨范圍:
序號(hào) | 產(chǎn)品名稱 | 生產(chǎn)廠家 | 數(shù)量 |
1 | 爐體系統(tǒng) | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1 套 |
2 | 分子泵(或擴(kuò)散泵) | KYKY (成都南光) | 1 臺(tái) |
3 | 紅外測(cè)溫儀 | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1 套 |
4 | 復(fù)合真空計(jì) | 成都正華 | 1 臺(tái) |
5 | IGBT懸浮專用電源 | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1 套 |
6 | 匯流水管 | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1 套 |
7 | 氣動(dòng)真空擋板閥 | 川北科技 | 3 件 |
8 | 懸浮專用水冷線圈 | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1套 |
9 | 真空管路 | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1 套 |
10 | 說(shuō)明書(shū) | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 2 套 |
11 | 機(jī)械泵 | 北京優(yōu)成 | 1臺(tái) |
12 | 溫控器 | 廈門(mén)宇電 | 1臺(tái) |
13 | 懸浮專用水冷銅坩堝 | 南京博蘊(yùn)通儀器科技有限公司 | 1 套 |