RTP-DTS-8全自動雙腔快速退火爐是利用鹵素紅外燈作為熱源,利用極快的升溫速率,將晶圓或是材料在很短的時間加熱至300℃-1250℃,進(jìn)而消去晶圓或是原材料內(nèi)部某些缺點,改進(jìn)產(chǎn)品特性。
快速退火爐采用的微電腦自動控制系統(tǒng),選用PID閉環(huán)控制溫度,能夠達(dá)到的控溫精度和溫度均勻性,而且可配置真空腔體,也可根據(jù)客戶加工工藝要求配備多路氣體。
快速熱處理工藝(RTP)
快速退火(RTA)
快速熱氧化(RTO)
化合物合金(砷化鎵、氮化物等)
多晶硅退火
歐姆接觸快速合金
全自動雙腔
溫度范圍
產(chǎn)品尺寸
兼容6-8英寸WAFER
兼容6-8英寸WAFER
桌面型快速退火爐RTP-Table-6
溫度可達(dá)1250℃,可測單晶片樣品尺寸為6英寸
半自動快速退火爐RTP-SA-12
可測單晶片樣品的尺寸為12英寸
產(chǎn)品尺寸 6寸-8寸
溫度范圍 室溫~1250℃
溫控控制重復(fù)性 ±1℃
溫度均勻度 ±3℃≤600℃ ±0.5%>600℃
升溫速度 ≤30℃/s(載盤)
腔體數(shù)量 雙腔