可控硅靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

可控硅靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

一：可控硅靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)主要特點(diǎn)

     華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

測(cè)試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

二：應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)

三、特征：

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV

E：Vce測(cè)量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測(cè)量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；