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半導體高溫高濕反偏實驗系統

參考價 100001
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱陜西博微電通科技有限責任公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號BW-H3TRB-C16
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2024/10/12 11:49:08
  • 訪問次數7
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  陜西博微電通科技有限責任公司是一家致力于高精度半導體測試設備、電力電子設備、電池安全管理系統及電力儲能解決方案的集研發(fā)、生產、銷售的高科技企業(yè)。
 
  公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿區(qū),地理位置環(huán)境便利環(huán)境,依托西安眾多高校及研究所,公司擁有一批高素質人才隊伍,從軟件開發(fā)、硬件設計、系統集成、產品升級迭代及售后服務均由專業(yè)技術人員完成,多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導體測試、電力電子、能源管理系統系列產品,經過技術迭代,產品功能全面,產品質量可靠,市場口碑優(yōu)秀。
 
  公司注重產品質量,更注重客戶服務滿意度及產品體驗,每一款產品出廠前都經過嚴格的檢驗或第三方機構監(jiān)測,并持續(xù)優(yōu)化產品功能、根據客戶需求定制或迭代升級產品。我們秉承“博厚共贏、服務入微”理念竭誠為每一位客戶提高可靠性、高品質的產品與服務,幫助解決客戶實際使用痛點,開發(fā)難點,節(jié)約生產成本提高工作效率,助力行業(yè)發(fā)展。
 
  2、半導體測試系統:(Semiconductor test system)
 
  針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導體測試產品,廣泛應用于半導體企業(yè)測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應用端產業(yè)鏈的來料檢驗、器件選型及科研院所、實驗室的數據驗證分析和研發(fā)指導等。
 
  半導體測試設備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態(tài)參數測試(包括導通、關斷、擊穿、漏電、增益等直流參數)測試精度可達16位ADC;動態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等;環(huán)境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導體器件測試設備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA,各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機系統等。
 
  3、電池安全管理及儲能:(Battery safety management and energy storage system)
 
  電池安全管理系統主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統安全及應用電池全生命周期系統解決方案,主要產品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控數據平臺等,產品廣泛應用于儲能,云計算,數據中心,通信網絡,軌道交通,以及商業(yè)和工業(yè)設施關鍵電源領域,將成為國家綠色能源轉型重要系統保障。
 
  4、企業(yè)使命:
 
  以社會責任為己任
 
  助力中國半導體行業(yè)“博大”&“精微”發(fā)展
 
  助力中國能源行業(yè)安全綠色發(fā)展
 
  5、企業(yè)愿景:
 
  成為中國半導體測試及能源安全管理優(yōu)秀企業(yè)
 
  6、企業(yè)價值觀:
 
  搏厚共贏、服務入微
 
半導體測試設備,靜態(tài)動態(tài)測試機,晶體管可靠性測試,光耦測試,半導體教學實驗室
產地 國產 產品新舊 全新
適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET(支持耗盡型產品)、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗
試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關標準要求
80 顆/每通道×16 通道=1280 顆(滿載試驗數量)
半導體高溫高濕反偏實驗系統 產品信息

BW-H3TRB-C16

半導體高溫高濕反偏實驗系統

 

     ■每通道為 48 工位,48 工位中每個工位可進行 Tj 測試

      ■適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET(支持耗盡型)、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗

      ■試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關標準要求

      ■80 顆/每通道×16 通道=1280 顆(滿載實驗數量)

      ■系統平均無問題運行時間≥10000 小時

技術特點 Technical characteristics

■實時監(jiān)測每個器件的反偏電壓、漏電流;

■Max電壓可達6000V;;

■對于模塊上下橋可同時加電同時監(jiān)測漏電;

■整個試驗過程的數據(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲。并輸出為Excel  報表和繪制全過程漏電流IR 曲線

■設定漏電上限可快速切斷該回路電壓;

■可根據用戶的需求,定制各種老化板及測試程序。





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