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高溫高濕反偏試驗(yàn)系統(tǒng)(H3RTB)

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更新時(shí)間:2023-10-21 17:38:23瀏覽次數(shù):263

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高溫高濕反偏試驗(yàn)系統(tǒng)(H3RTB) 高溫高濕反偏試驗(yàn)系統(tǒng)(H3RTB)用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗(yàn),比如 Si/SiC/GaN 材料的IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的高溫,高濕,偏壓條件下對(duì)濕氣的抵抗能力,加速其失效進(jìn)程,同時(shí)可附帶評(píng)價(jià)器件外觀的寢蝕試驗(yàn)。 ......

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品型號(hào)AS-H3TRB-C8AS-H3TRB-C16AS-H3TRB-H8
箱體尺寸
試驗(yàn)箱內(nèi)容積升(L)408408408
內(nèi)箱尺寸
(mm)
寬(W)600600600
高(H)800800800
深(D)850850850
外箱尺寸
(mm)
寬(W)200020002000
高(H)191501915019150
深(D)118011801180
技術(shù)參數(shù)
適用器件全橋、SCR、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等IGBT/DIODE/MOSFET/BJT/SCR 等器件
試驗(yàn)箱溫度范圍 -20~150℃-70~180℃
試驗(yàn)通道8個(gè) 16個(gè)8個(gè)
電源數(shù)量根據(jù)客戶需求提供≤8臺(tái)
試驗(yàn)電源≤300V≤6000V
老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。
供水方式手動(dòng)和自動(dòng)補(bǔ)水
水質(zhì)要求純水




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