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高溫高壓光學浮區(qū)爐

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌捷鈦儀器

廠商性質生產(chǎn)商

所  在  地上海市

更新時間:2024-09-29 14:07:58瀏覽次數(shù):181次

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高溫高壓光學浮區(qū)爐
高溫高壓光學浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔可最大壓力可達300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

 

高溫高壓光學浮區(qū)爐

豎直雙鏡設計,采用高照度短弧氙燈,熔區(qū)溫度:最高>3000℃, 熔區(qū)壓力:10-5mbar至300 bar,多路獨立氣體流量和氣壓控制

豐富的可升級選件

耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率,由德國弗勞恩霍夫應用光學和精密工程研究所優(yōu)化設計的高反射 拆裝簡便、帶樣品污染保護的石英樣品腔率鏡面,鏡體位置和角度可由高精度步進馬達控制調節(jié)

 

高溫高壓光學浮區(qū)爐

 主要技術參數(shù)

熔區(qū)溫度

zui2000 - 3000℃以上

熔區(qū)壓力

zui10、50、100、150、300 bar可選

熔區(qū)真空

1*10-2 mbar 1*10-5 mbar可選

熔區(qū)氣氛

Ar、O2N2等可選

氣體流量

0.25 – 1 L/min流量可控

氙燈功率

3kW  15kW可選

料棒臺尺寸

6.8mm  9.8mm可選

拉伸速率

0.1-200 mm/h

調節(jié)速率

0.6 mm/s

拉伸尺寸

zui195mm

旋轉速率

0-150 rpm

用電功率

400V三相 63A 50Hz

水冷功率

大于8kW

主機尺寸

302cm*163cm*92cm

 

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