日立 離子研磨儀 IM4000II

高效率的截面研磨

IM4000II配備截面研磨能力達(dá)到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出截面樣品。

*1   在加速電壓6 kV下，將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時(shí)的深度

樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動(dòng)角度：±30°
研磨時(shí)間：1小時(shí)

截面研磨時(shí)如果擺動(dòng)的角度發(fā)生變化，加工的寬度和深度也會(huì)發(fā)生變化。下圖為Si片在擺動(dòng)角度為±15°下進(jìn)行截面研磨后的結(jié)果。除擺動(dòng)角度以外，其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結(jié)果進(jìn)行對比后，可發(fā)現(xiàn)加工的深度變深。

對于觀察目標(biāo)位于深處的樣品來說，能夠?qū)悠愤M(jìn)行更快速的截面研磨。

樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動(dòng)角度：±15°
研磨時(shí)間：1小時(shí)

復(fù)合型研磨儀

截面研磨

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• 1、即使是由不同硬度以及研磨速度材質(zhì)所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面

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• 2、優(yōu)化加工條件，降低因離子束所致樣品的損傷

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• 3、可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

平面研磨

• 直徑約為5mm范圍內(nèi)的均勻加工

• 應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

• 可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品

• 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)（±60度，±90度的擺動(dòng)）2種加工方法

平面研磨的主要用途

• 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變

• 去除樣品表層部分

• 消除因FIB加工所致的損傷層

產(chǎn)品選配項(xiàng)：

低溫控制功能*1

將液氮裝入杜瓦罐中，以此作為冷卻源間接冷卻樣品。IM4000Ⅱ配有溫度調(diào)節(jié)控制功能，以防止樹脂和橡膠樣品過冷。

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• *1 需與主機(jī)同時(shí)訂購。

真空轉(zhuǎn)移功能

離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接轉(zhuǎn)移到SEM*1、AFM*2上。真空轉(zhuǎn)移功能與低溫控制功能可同時(shí)使用。（平面研磨真空轉(zhuǎn)移功能不適用低溫控制功能）。

• *1 僅支持帶有真空轉(zhuǎn)移交換倉的日立FE-SEM

• *2 僅支持真空型日立AFM。

觀察加工過程的體式顯微鏡

右圖為用于觀察樣品加工過程的體式顯微鏡。搭載了CCD相機(jī)的三目型顯微鏡能夠在顯示器上進(jìn)行觀察。也可配置雙目型體式顯微鏡。

產(chǎn)品規(guī)格：

主要內(nèi)容
使用氣體	氬氣
氬氣流量控制方式	質(zhì)量流量控制
加速電壓	0.0 ～ 6.0 kV
尺寸	616(W) × 736(D) × 312(H) mm
重量	主機(jī)53 kg＋機(jī)械泵30 kg
截面研磨
研磨速度（Si材料）	500 µm/h*1以上
樣品尺寸	20(W）×12(D）×7（H）mm
樣品移動(dòng)范圍	X±7 mm、Y 0 ～+3 mm
離子束間歇加工功能 開啟/關(guān)閉 時(shí)間設(shè)定范圍	1秒 ～ 59分59秒
擺動(dòng)角度	±15°、±30°、±40°
廣域截面研磨功能	-
平面研磨
加工范圍	φ32 mm
樣品尺寸	Φ50 X 25 (H) mm
樣品移動(dòng)范圍	X 0～＋5 mm
離子束間歇加工功能 開啟/關(guān)閉 時(shí)間設(shè)定范圍	1秒 ～ 59分59秒
旋轉(zhuǎn)速度	1 rpm、25 rpm
擺動(dòng)角度	±60°、± 90°
傾斜角度	0 ～ 90°

*1 將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時(shí)的深度。

選配項(xiàng)

項(xiàng)目	內(nèi)容
低溫控制功能*2	通過液氮間接冷卻樣品，溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C
超硬遮擋板	使用時(shí)間約為標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍（不含鈷）
加工過程觀察用顯微鏡	放大倍數(shù) 15× ～ 100×　雙目型、三目型（可裝CCD）

*2 需與主機(jī)同時(shí)訂購。冷卻溫度控制功能在使用時(shí)，部分功能可能使用有限。