Spectrum 3 MIR/NIR/F
ICP-OES 分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)
-
提供商
珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司
-
資料大小
528.1KB
- 資料圖片
-
下載次數(shù)
0次
-
資料類型
PDF 文件
-
瀏覽次數(shù)
200次
高純度精煉的鎵(Ga)是半導(dǎo)體化合物砷化鎵的主要原料,可用作高溫溫度計的填充物、溫度標準物質(zhì)及熔點較低的合金材料,是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)*的元素之一,隨著高純度鎵的需求增大,對雜質(zhì)含量的檢驗成為*的環(huán)節(jié)。本文建立了利用ICP-OES分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)的解決辦法。