干燥設(shè)備 粉碎設(shè)備 混合設(shè)備 反應(yīng)設(shè)備 過(guò)濾分離設(shè)備 過(guò)濾材料 滅菌設(shè)備 萃取設(shè)備 貯存設(shè)備 傳熱設(shè)備 鍋爐 塔設(shè)備 結(jié)晶設(shè)備 其它制藥設(shè)備
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膜介電低溫等離子體發(fā)生器，是繼玻璃陶瓷等硬質(zhì)介電材料發(fā)生器的百年技術(shù)發(fā)展后，一種全新的介電質(zhì)材料技術(shù)及發(fā)生器介電技術(shù)成果。由于基礎(chǔ)材料與核心技術(shù)方面的突破，在提高發(fā)生器的可靠性、高效能，實(shí)現(xiàn)大型發(fā)生器元器件及大型發(fā)生器機(jī)組設(shè)備的發(fā)展進(jìn)成中，獲得新路徑。膜介電質(zhì)，有優(yōu)良的電氣性能、機(jī)械性能、耐溫性、耐輻射性、電化學(xué)穩(wěn)定性以及良好的阻燃性，在200℃的破壞性試驗(yàn)中連續(xù)工作。與傳統(tǒng)硬質(zhì)介電材料不同，RTPF膜介質(zhì)為0.11~0.3mm超薄的軟質(zhì)介電結(jié)構(gòu)，收縮率130℃時(shí)≤1.0%，電損0.01~0.15，介質(zhì)效率98%，具有較寬的動(dòng)態(tài)高頻特性，適合任意放電面積設(shè)計(jì)值的單體RTPF發(fā)生器元件及發(fā)生器模塊裝置。2003年3月，我們首先設(shè)計(jì)完成了膜介電RTPF-G63和RTPF-G108規(guī)格的強(qiáng)電離低溫等離子體發(fā)生器裝置，*應(yīng)用于等離子體技術(shù)和臭氧技術(shù)領(lǐng)域。發(fā)生器裝置，由精度*的冷卻合金導(dǎo)體和膜介質(zhì)介電結(jié)構(gòu)，經(jīng)二次承壓布?xì)饧半p極冷卻密封集成，在高頻高壓電源驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行電離工作。在4年多國(guó)內(nèi)和國(guó)外的數(shù)百臺(tái)單機(jī)試運(yùn)行中，發(fā)生器性能穩(wěn)定，運(yùn)行參數(shù)和指標(biāo)已達(dá)*技術(shù)水平。為配合用戶及其同行業(yè)的工程、實(shí)驗(yàn)和商用需要，我們將大型發(fā)生器裝置升級(jí)到單體集成，完成大型發(fā)生器機(jī)組設(shè)備的核心元件裝置模塊化，實(shí)現(xiàn)大型發(fā)生器機(jī)組的單板機(jī)總線結(jié)構(gòu)的多路單點(diǎn)控制模式，突破了發(fā)生器技術(shù)的發(fā)展瓶頸及其局限，進(jìn)一步提升了大型發(fā)生器機(jī)組的技術(shù)合理性及安全運(yùn)行的技術(shù)保障。
復(fù)合離子交換膜復(fù)合膜介電低溫等離子體發(fā)生低溫等離子體燃料燃燒器物化處理器膜介電低溫等離子體O3發(fā)生器核心元器件膜介電低溫等離子體及O3通用型發(fā)生器設(shè)備膜介電低溫等離子體及O3實(shí)驗(yàn)型發(fā)生器設(shè)備膜介電低溫等離子體及O3工程系統(tǒng)發(fā)生器設(shè)備集電式負(fù)離子發(fā)生器及其配套裝置î F O3 膜前級(jí)還原反應(yīng)器î F O3 高級(jí)氧化催化反應(yīng)器
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