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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C

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更新時間：2021-10-06 18:48:43瀏覽次數(shù)：250次

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經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：137條

所在地區(qū)：上海上海市

聯(lián)系人：朱珠 （銷售助理）

產(chǎn)品簡介

上海伯東日本適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C. 無論使用什么材料都可以用來加工.蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率 20 nm/min, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~90度旋轉(zhuǎn), 因此射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等加工形狀.

詳細(xì)介紹

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品優(yōu)勢：

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 主要優(yōu)點(diǎn):

1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.

2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.

3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源

4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.

5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.

6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.

7. 機(jī)臺設(shè)計(jì)使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.

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