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產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 產(chǎn)品新舊 | 全新 |
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自動化程度 | 半自動 |
LT-2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計,由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。
LT-2型單晶少子壽命測試儀技術(shù)指標(biāo)
測試單晶電阻率范圍>2Ω.cm
配備光源類型
波長:1.09μm;余輝<1 μS;
閃光頻率為:20~30次/秒;
閃光頻率為:20~30次/秒;
高頻振蕩源用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz
前置放大器:放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復(fù)誤差<±20%
測量方式采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率<25W
儀器工作條件:溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz
可測單晶尺寸:斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
縱向臥測:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;
配用示波器:頻寬0—20MHz;
電壓靈敏:10mV/cm;
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