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半導(dǎo)體測試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)

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  • 型號 ST-SP 2000
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 西安市

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更新時(shí)間:2020-02-25 12:50:59瀏覽次數(shù):615

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產(chǎn)品簡介

半導(dǎo)體測試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)
本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線,也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析,IQC來料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立,保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測試時(shí)間是6 to 20ms,通常上百個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來,數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體測試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)

 

品牌 :天光測控型號 :ST-SP 2000
加工定制 :類型 :分立器件測試儀
測量范圍 :電壓2000V,電流100A精確度 :正負(fù)%0.1精度
儀表尺寸 :200*100*80mm適用范圍 :分立器件測試儀
儀表重量 :5kg工作電源 :220v
規(guī)格 :半導(dǎo)體參數(shù)測試儀  


產(chǎn)品詳情
Product details

1. 系統(tǒng)配置簡介

1.1 系統(tǒng)概述

                天光測控ST-SP 2000是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管圖示系統(tǒng),本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線,也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析,IQC來料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立,保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測試時(shí)間是6 to 20ms,通常上百個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來,數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)入EXCEL等格式進(jìn)一步分析研究,是一款高效多功能的半導(dǎo)體測試設(shè)備。

半導(dǎo)體測試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)

本系統(tǒng)使用方便,只需要通過USB或者RS232與電腦連接,通過電腦中友好的人機(jī)界面操作,即可完成測試。并可以實(shí)現(xiàn)測試數(shù)據(jù)以EXCEL和WORD的格式保存。系統(tǒng)提供過電保護(hù)功能,門極過電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時(shí)間都可以檢測。對診斷設(shè)備狀態(tài)和測試結(jié)果提供了可靠地保證。

 

1.2 天光測控ST-SP 2000測試儀指標(biāo)

 

技術(shù)指標(biāo)

主極參數(shù)

控制極參數(shù)

指標(biāo)

標(biāo)配

 

指標(biāo)

標(biāo)配

 

主極電壓:

1mV-2000V

 

控制極電壓:

100mV-20V

 

電壓分辨率:

1mV

 

電壓分辨率:

1mV

 

主極電流:

0.1nA-100A

可擴(kuò)展1250A

控制極電流:

100nA-10A

 

電流分辨率:

0.1nA

    

測試精度:

0.2+2LSB

    

測試速度:

0.5mS/參數(shù)

    

 

1.3  天光測控ST-SP 2000測試系統(tǒng)是一套高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測試系統(tǒng),它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測試能力,可真實(shí)準(zhǔn)確測試下列各種大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。

  

 

測試范圍 / 測試參數(shù)

 

序號

測試器件

測試參數(shù)

 

01

絕緣柵雙*功率晶體管

IGBT

ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;

VGEON;VF;GFS

 

02

MOS場效應(yīng)管 

MOS-FET

IDSS;IDSV;IGSSF;  IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;

VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS

 

03

J型場效應(yīng)管

J-FET

IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;

IDSS;GFS;VGSOFF

 

04

二極管

DIODE

IR;BVR ;VF

 

05

晶體管

(NPN型/PNP型)

ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;

BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF

 

06

雙向可控硅

TRIAC

VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-

 

07

可控硅

SCR

IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;

IGT;VGT;IL;IH

 

08

硅觸發(fā)可控硅

STS

IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;

 VPK-;VGSW+;VGSW-

 

09

達(dá)林頓陣列

DARLINTON

ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;

BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;

VCESAT; VBESAT;VBEON

 

10

光電耦合

OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;

CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)

 

11

繼電器

RELAY

RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME

 

12

穩(wěn)壓、齊納二極管

ZENER

IR;BVZ;VF;ZZ

 

13

三端穩(wěn)壓器

REGULATOR

Vout;Iin;

 

14

光電開關(guān)

OPTO-SWITCH

ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF

 

15

光電邏輯

OPTO-LOGIC

IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF

 

16

金屬氧化物壓變電阻

MOV

ID+ ID-;VN+;  VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;

 

17

固態(tài)過壓保護(hù)器

SSOVP

ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、

IH-;;IBO+ IBO-;VBO+  VBO-;VZ+  VZ-

 

18

壓變電阻

VARISTOR

ID+;  ID-;VC+   ;VC-

 

19

雙向觸發(fā)二極管

DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

 


1.4系統(tǒng)曲線測試列舉
ID vs. VDS at range of VGS             

ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD                             

RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS             

IDSS vs. VDS
HFE vs. IC                            

BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE                          

BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC             

VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)      

VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF

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