詳細(xì)摘要： IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)開(kāi)關(guān)短路反向恢復(fù)測(cè)試系統(tǒng)概述IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及...

詳細(xì)摘要： 測(cè)試范圍廣 19大類，27分類 功率器件測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域：院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、新能源汽車、軌道機(jī)...

詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來(lái)...

詳細(xì)摘要： 晶閘管綜合測(cè)試儀測(cè)試范圍：1. 門極參數(shù)測(cè)試：VGT、IGT2. 維持電流測(cè)試：IH3. 擎住電流測(cè)試：IL4. 阻斷參數(shù)測(cè)試：VD、VR 、ID、IR5. 壓...

詳細(xì)摘要： IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)IGBT參數(shù)包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF...

詳細(xì)摘要： IGBT參數(shù)測(cè)試儀器，用于測(cè)試MOSFETs, Diode , IGBT靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試主極輸出 3300V/1200A

詳細(xì)摘要： 分立元器件測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIO...

詳細(xì)摘要： 熱阻（抗）測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs

詳細(xì)摘要： 熱阻測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（J-C）散熱：設(shè)備采用水冷散熱，用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性

詳細(xì)摘要： 穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試儀ST-Thermal_X功率器件熱特性測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / ...

詳細(xì)摘要： ST-SP9060 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,靜態(tài)直流參數(shù)3000V/2000A

詳細(xì)摘要： ST-DP1506 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,動(dòng)態(tài)交流參數(shù)1500V/600A，短路電流2500A

詳細(xì)摘要： ST-SP 2005晶體管測(cè)試儀可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/...

詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCR...