ZEISS GeminiSEM 500場發(fā)射掃描電子顯微鏡
GeminiSEM 系列產品
高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡
為對任意樣品進行高水準的成像和分析而生
蔡司GeminiSEM 系列產品具有出色的探測效率，能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進行成像和分析時都具備更佳的靈活性，為您在材料科學研究、生命科學研究、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像，提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強的信號和更豐富的細節(jié)信息，其創(chuàng)新設計的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺；
更強的信號，更豐富的細節(jié)
GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強的信號和更豐富的細節(jié)信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。
經優(yōu)化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低；
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度，二次電子圖像分辨率1 kV達0.9nm，500 V達1.0 nm，無需樣品臺減速即可進行高質量的低電壓成像，為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細節(jié)信息；
應用樣品臺減速技術-（Tandem decel），可在1 kV下獲得高達0.8nm二次電子圖像分辨率；
創(chuàng)新設計的可變壓力模式-NanoVP技術，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。
如今，掃描電子顯微鏡（SEM）在低電壓下的高分辨成像能力，已成為其在各項應用領域中的標準配置。
低電壓下的高分辨率成像能力，在以下應用領域中扮演著尤為重要的角色：
電子束敏感樣品
不導電樣品
獲取樣品極表面的真實形貌信息
Gemini的革新電子光學設計，應用高分辨率電子、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺減速技術（選配），有效提高了在低電壓時的信號采集效率和圖像襯度。
高分辨率電子式：
縮小30%的出射電子束能量展寬，有效地降低像差；
獲得更小的束斑。
Nano-twin lens物鏡：
優(yōu)化靜電場和磁場的復合功效，在低電壓下具有的更高的分辨率；
提高鏡筒內Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。
Tandem decel樣品臺減速技術，進一步提高對適用樣品在低電壓甚*低電壓下的分辨率：
Tandem decel減速技術將鏡筒內減速和樣品臺偏壓減速技術相結合，有效地實現(xiàn)低著陸電壓；
使用1 kV及以下更低電壓時，鏡筒內背散射探測器的檢測效率獲得更好地增強，低電壓下的分辨率得到進一步提高。
對適用的樣品可以加載高達-5 kV的樣品臺偏壓，在低電壓下獲得更高質量的圖片
優(yōu)化靜電場和磁場的復合功效，在低電壓下具有的更高的分辨率；
提高鏡筒內Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。
ZEISS GeminiSEM 500場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術參數(shù)：
| 基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | ||
|---|---|---|---|
| 熱場發(fā)射電子槍，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
| 加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
| 探針電流 | 3 pA - 20 nA | ||
| （100 nA配置可選） | |||
| 存儲分辨率 | 達32k × 24k 像素 | ||
| 放大倍率 | 50 – 2,000,000 | ||
| 標配探測器 | 鏡筒內Inlens二次電子探測器 | ||
| 樣品室內的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
可選配的 項目 | 鏡筒內能量選擇背散射探測器 | ||
| 環(huán)形STEM探測器（aSTEM 4） | |||
| EDS能譜儀 | |||
| EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
| NanoVP可變壓力模式 | |||
| 高效VPSE探測器（包含在NanoVP可變壓力選件中） | |||
| 局部電荷中和器 | |||
| 可訂制特殊功能樣品臺 | |||
| 環(huán)形背散射電子探測器 | |||
| 陰極射線熒光探測器 | |||
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