制藥網(wǎng)>產(chǎn)品庫>儀器儀表>其它儀器儀表>其它儀器儀表>>雪崩能量測試儀

雪崩能量測試儀

參考價	面議

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌
型號
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2019/11/27 19:04:40
訪問次數(shù)1049

產(chǎn)品標簽:

雪崩能量測試儀雪崩能量測試系統(tǒng)半導(dǎo)體分立器件測試大功率分立器件測試儀大功率

在線詢價收藏產(chǎn)品查看電話同類產(chǎn)品

聯(lián)系我們時請說明是制藥網(wǎng) 上看到的信息，謝謝!

索取相關(guān)資料

公司介紹主營產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠流長；華科智源公司核心團隊由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應(yīng)商，2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

展開顯示更多內(nèi)容

首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng)，SMT智能首件檢測儀，首樣檢測，首板確認

產(chǎn)品簡介在線詢價

雪崩能量測試儀系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達2000J。

雪崩能量測試儀產(chǎn)品信息

半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用為廣泛的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。

雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機，計算機將測試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。

HUSTEC2020 雪崩能量測試儀

功能指標：

配置	測試范圍	測試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V～4500V	20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA～200A	1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J～2000J	1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負載	10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、
			重復(fù)間隙時間	1~60s可調(diào)（步進1s）重復(fù)次數(shù)：1~50次