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雪崩能量測(cè)試儀 華科智源

參考價(jià) ￥ 60000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)ITC55100
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/10/23 14:54:36
  • 訪問(wèn)次數(shù)762
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   深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
    華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
雪崩能量測(cè)試儀 華科智源 主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)將測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進(jìn)行終的編輯和打印。
雪崩能量測(cè)試儀 華科智源 產(chǎn)品信息

雪崩能量測(cè)試儀功能指標(biāo)：

配置

測(cè)試范圍

測(cè)試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V 

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管 

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V～4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場(chǎng)效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 

Ic

1mA～200A

1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA 
2A～200A±3%±50mA

 

DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J～2000J

1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J 
500J～2000J±3%±10J

  

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測(cè)

50mV/A（取決于傳感器）

   

感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

   

重復(fù)間隙時(shí)間 

1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次

雪崩能量測(cè)試儀?測(cè)試模式

單脈沖松開電感的開關(guān)（UIS）

單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）

重復(fù)性雪崩能量（EAR）

重復(fù)脈沖故障（RPF）

 

執(zhí)行的測(cè)試

連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸

DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試

- 前，后的雪崩

功能設(shè)備測(cè)試

雪崩測(cè)試

 

特點(diǎn)

單路/雙路設(shè)備測(cè)試

N溝道，P溝道，混合

全固態(tài)切換 - 無(wú)需繼電器

更快的測(cè)試

電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟

雪崩電壓至2500V

觸摸屏程序進(jìn)入/控制

波形捕獲/顯示

內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件）

高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間

可編程漏電測(cè)試電壓

前置/后置雪崩泄漏測(cè)試

雪崩折疊測(cè)試

多功能測(cè)試處理器控制

15硬件排序箱

改進(jìn)的電壓/電流精度

通過(guò)Flash下載軟件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制參數(shù)輸入密碼

使用所有ITC電感負(fù)載箱

接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF

內(nèi)置自我測(cè)試

 

關(guān)鍵詞：傳感器
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