制藥網(wǎng)>產(chǎn)品庫(kù)>儀器儀表>其它儀器儀表>其它儀器儀表>>IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源

參考價(jià)	￥ 60000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)TC57300
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2020/10/23 15:09:21
訪問(wèn)次數(shù)545

產(chǎn)品標(biāo)簽:

igbt測(cè)試儀 IGBT靜態(tài)測(cè)試儀半導(dǎo)體分立器件 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品查看電話同類(lèi)產(chǎn)品

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是制藥網(wǎng) 上看到的信息，謝謝!

索取相關(guān)資料

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*，坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專(zhuān)家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

展開(kāi)顯示更多內(nèi)容

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源產(chǎn)品信息

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀概述

測(cè)試電壓：大1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）
定時(shí)測(cè)量：低為1 ns
漏電流限制監(jiān)視器
- MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測(cè)試，Max ISC=1000A

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：
- MIL-STD-750 Series