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大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號HUSTEC-6030
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2019/11/27 19:04:42
  • 訪問次數(shù)477
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   深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
    華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長；華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應(yīng)商，2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng)，SMT智能首件檢測儀，首樣檢測，首板確認(rèn)
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設(shè)計，產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試，設(shè)備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源
大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源 產(chǎn)品信息

品牌 :

華科智源

型號 :

HUSTEC-2015

加工定制 :

是

類型 :

電參數(shù)測試儀

測量范圍 :

電壓2000V，電流1000A

精確度 :

正負(fù)1%精度

儀表尺寸 :

800*600*1800

適用范圍 :

在線檢修，來料檢驗(yàn)，失效分析

儀表重量 :

100kg

工作電源 :

220V

規(guī)格 :

IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

測量精度 :

正負(fù)%1精度測量

功率 :

300W

頻率 :

50Hz

產(chǎn)品詳情 大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

Product details

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設(shè)計，產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試，設(shè)備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。

 

測試系統(tǒng)以2000A為一個電流模塊,以1500V為一個電壓模塊，電流電壓可升級；

1范圍

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不*時，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn) 大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，功率半導(dǎo)體模塊測試系統(tǒng)的設(shè)計、制造、檢查、試驗(yàn)等遵循如下國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。

GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則

GB19517-2004  國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范

GB/T 15153.1-1998 運(yùn)動設(shè)備及系統(tǒng)

GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級（IP代碼）（IEC 60529：2001，IDT）

GB/T 191-2008 包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件

GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)

GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備

GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用

GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則

GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制

GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器

GB/T 311.1 絕緣配合第1部分：定義、原則和規(guī)則

IEC 60747-2/GB/T 4023-1997      半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管

IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012     半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）

 

 

3技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，測試單元具備測試IGBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。具體測試參數(shù)及指標(biāo)詳見表格411。

*2）測試對象

被測器件主要IGBT模塊。

3.1.2  IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定義。

以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進(jìn)行。

1）圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義動態(tài)測試參數(shù)

IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。

圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義

 

圖3 IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義

 

表格2 可測量的IGBT動態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

參數(shù)名稱

符號

開通延遲時間

td(on)

關(guān)斷延遲時間

td(off)

上升時間

tr

下降時間

tf

開通時間

ton

關(guān)斷時間

toff

開通損耗

Eon

關(guān)斷損耗

Eoff

柵極電荷

Qg

拖尾時間

tz

短路電流

ISC

/

/

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

參數(shù)名稱

符號

反向恢復(fù)電流

IRM

反向恢復(fù)電荷

Qrr

反向恢復(fù)時間

trr

反向恢復(fù)損耗

Erec

 3.1.華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀反偏安全工作區(qū)參數(shù)及指標(biāo)

3.1.4華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀保護(hù)安全功能

本測試單元應(yīng)具備完善的保護(hù)功能，除可有效保護(hù)操作人員不受事故傷害外，還在發(fā)生故障時不會造成設(shè)備自身的較大損壞，通過采取更換小型部件的方式即可修復(fù)。保護(hù)功能包括但不限于如下功能：

l *高壓測試前可選低壓預(yù)測試驗(yàn)證系統(tǒng)安全及連接良好

l *完備的人身安全防護(hù)

l 測試結(jié)束電容自動放電

l 測試過程中短路保護(hù)（非短路測試）

l *被測器件防爆保護(hù)

 

3.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀測試單元組成

本測試單元包括動態(tài)參數(shù)測試部分，主要組成材料及其要求如下所示。

3.2.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試部分主要材料清單

表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成

序號

組成部分

單位

數(shù)量

1

可調(diào)充電電源

套

1

2

直流電容器

個

8

3

動態(tài)測試負(fù)載電感

套

1

4

安全工作區(qū)測試負(fù)載電感

套

1

5

補(bǔ)充充電回路限流電感L

個

1

6

短路保護(hù)放電回路

套

1

7

正常放電回路

套

1

8

高壓大功率開關(guān)

個

5

9

尖峰抑制電容

個

1

10

主回路正向?qū)ňчl管

個

2

11

動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管

個

2

12

安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管

個

3

13

被測器件旁路開關(guān)

個

1

14

工控機(jī)及操作系統(tǒng)

套

1

15

數(shù)據(jù)采集與處理單元

套

1

16

機(jī)柜及其面板

套

1

17

壓接夾具及其配套系統(tǒng)

套

1

18

加熱裝置

套

1

19

其他輔件

套

1

 

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1) 海拔高度：海拔不超過1000m；

2) 溫度：儲存環(huán)境溫度 -2060；

3) 工作環(huán)境溫度： -540；

4) 濕度：20RH 至 90RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40以下)；

5) 震動：抗地震能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力0.5g；

6) 防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3.3.1.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設(shè)計，產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試，設(shè)備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。華科智源專業(yè)提供動態(tài)參數(shù)測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統(tǒng)。

 

關(guān)鍵詞：溫度計
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