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新能源電動(dòng)汽車IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)HUSTEC-6030
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2019/11/27 19:04:42
  • 訪問次數(shù)610
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀,適用于芯片設(shè)計(jì),產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試,設(shè)備模塊化程度高,測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用。可以根據(jù)就用戶需求進(jìn)行定制。新能源電動(dòng)汽車IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源
新能源電動(dòng)汽車IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源 產(chǎn)品信息

品牌 :

華科智源

型號(hào) :

HUSTEC-2015

加工定制 :

類型 :

電參數(shù)測(cè)試儀

測(cè)量范圍 :

電壓2000V,電流1000A

精確度 :

正負(fù)1%精度

儀表尺寸 :

800*600*1800

適用范圍 :

在線檢修,來料檢驗(yàn),失效分析

儀表重量 :

100kg

工作電源 :

220V

規(guī)格 :

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

測(cè)量精度 :

正負(fù)%1精度測(cè)量

功率 :

300W

頻率 :

50Hz

產(chǎn)品詳情 新能源電動(dòng)汽車IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源

Product details

華科智源 IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)功能介紹:

1.華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)能夠?qū)Ρ炔煌腎GBT的參數(shù);
2.
華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)能夠用來評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能;
3.
華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)能夠獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù),以評(píng)估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適。
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,但實(shí)際上,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)測(cè)試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的,往往會(huì)有所不同,因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。我們需要了解IGBT在具體應(yīng)用中更真實(shí)的表現(xiàn);
華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)能夠進(jìn)行規(guī)格書參數(shù)的測(cè)試;
4.開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩;
5 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量;
6.IGBT關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適,關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩;
7.評(píng)估IGBT并聯(lián)的均流特性;
8.測(cè)量母排的雜散電感;
要觀測(cè)這些參數(shù),較有效的方法就是:華科智源生產(chǎn)的IGBT測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT雙脈沖臺(tái)!

            

 

 

                   

 

                                            雙脈沖測(cè)試的基本實(shí)驗(yàn)波形

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理(1):
在t0時(shí)刻,門極放出*個(gè)脈沖,被測(cè)IGBT   飽和導(dǎo)通,電動(dòng)勢(shì)U加在負(fù)載L上,電感的電流線性上升,電流表達(dá)式為:


 t1時(shí)刻,電感電流的數(shù)值由U和L決定,在U和L都確定時(shí),電流的數(shù)值由t1決定,時(shí)間越長(zhǎng),電流越大。因此可以自主設(shè)定電流的數(shù)值。

 


雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理(2):
IGBT關(guān)斷,負(fù)載 的電流L的電流由上管二極管續(xù)流,該電流緩慢衰減,如圖虛線所示。
由于電流探頭放在下管的發(fā)射極處,因此,在二極管續(xù)流時(shí),IGBT關(guān)斷,示波器上是看不見該電流的。

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理(3):
在t2時(shí)刻,第二個(gè)脈沖的上升沿到達(dá),被測(cè)IGBT 再次導(dǎo)通,續(xù)流二極管進(jìn)入反向恢復(fù),反向恢復(fù)電流會(huì)穿過IGBT      ,在電流探頭上能捕捉到這個(gè)電流,如下圖所示。
在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT  的開通過程。反向恢復(fù)電流是重要的監(jiān)控對(duì)象,該電流的形態(tài)直接影響到換流過程的許多重要指標(biāo)。

 

 

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理(4):
在t3時(shí)刻,被測(cè)IGBT   再次關(guān)斷,此時(shí)電流較大,因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在,會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰。在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT  的關(guān)斷過程。電壓尖峰是重要的監(jiān)控對(duì)象,同時(shí)關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩也是需要注意的對(duì)象。

 

 


雙脈沖實(shí)驗(yàn)的實(shí)測(cè)波形:


雙脈沖實(shí)驗(yàn)的關(guān)注點(diǎn)----開通過程(第二次開通):
左圖是IGBT   實(shí)測(cè)開通波形,我們需要關(guān)注的點(diǎn)是:
(1)Vce電壓是否正確變化;
(2)二極管的反向恢復(fù)電流的di/dt;
(3)二極管的反向恢復(fù)電流的峰值;
(4)反向恢復(fù)后電流是否有震蕩,拖尾有多長(zhǎng);
(5)測(cè)算出損耗(  依賴示波器功能)。

關(guān)于二極管的討論:
IGBT模塊中的續(xù)流二極管,實(shí)際上是一個(gè)非常重要的元件,但往往容易被忽視。我們列舉出如下需要注意的幾條:
1. IGBT 出現(xiàn)短路或者故障時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器可以幫忙保護(hù);但二極管芯片損壞時(shí),沒有其他的防護(hù)手段;
2. 在IGBT 開通的時(shí)刻,實(shí)際上是續(xù)流二極管關(guān)斷的時(shí)刻。所有的功率半導(dǎo)體,包括IGBT 芯片和二極管芯片,在關(guān)斷的時(shí)刻面臨的風(fēng)險(xiǎn)遠(yuǎn)大于其開通時(shí)面臨的風(fēng)險(xiǎn);
下圖是二極管的安全工作區(qū)的示意圖。
實(shí)際上這是一條恒功率曲線。其意義是:二極管 在反向恢復(fù)過程中,其瞬時(shí)功率不能超過規(guī)定的數(shù)值,否則就有損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
因此,二極管的瞬時(shí)功率是重要的判斷標(biāo)準(zhǔn)。二極管在反向恢復(fù)的過程中,實(shí)際上是其工作點(diǎn)從導(dǎo)通過度到截止。其工作點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡有多種選擇,如右圖所示。顯然,軌跡A是較安全的,軌跡C則是危險(xiǎn)的。

 

 



華科智源專業(yè)提供IGBT測(cè)試系統(tǒng),IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng),提供IGBT單管及模塊的動(dòng)靜態(tài)測(cè)試儀,雪崩能量測(cè)試儀。新能源電動(dòng)汽車IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源

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