單靶直流磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸3英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選擇；所配電源為1500W大功率直流電源，可用于高能量的金屬濺射鍍膜，根據(jù)實驗需求也可以選配其他規(guī)格的直流或者射頻電源來實現(xiàn)各種材料的鍍膜操作。
鍍膜儀具有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標(biāo)配*的渦輪分子泵組，極限真空可達1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。
單靶磁控濺射鍍膜儀適用范圍：
該設(shè)備可用于制備單層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該單靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備，特別適用于實驗室研究固態(tài)電解質(zhì)及OLED等。
單靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
單靶直流磁控濺射鍍膜儀 樣 品 臺 外形尺寸 φ185mm 加熱范圍 室溫～500℃ 可調(diào)轉(zhuǎn)速 1-20rpm可調(diào) 磁 控 靶 槍 靶材平面 圓形平面靶 濺射真空 10Pa～0.2Pa 靶材直徑 50～50.8mm 靶材厚度 2～5mm 絕緣電壓 >2000V 電纜規(guī)格 SL-16 靶頭溫度 ≦65℃ 真 空 腔 體 內(nèi)壁處理 電解拋光 腔體尺寸 φ300mm × 300mm 腔體材料 304不銹鋼 觀察窗口 石英窗口，直徑φ100mm 開啟方式 上頂開啟，氣缸輔助支撐 氣 體 控 制 流量控制 質(zhì)量流量計，量程0～200SCCM氬氣 調(diào)節(jié)閥類型 電磁調(diào)節(jié)閥 調(diào)節(jié)閥靜止?fàn)顟B(tài) 常閉 測量線性度 ±1.5%F.S 測量重復(fù)精度 ±0.2%F.S 測量響應(yīng)時間 ≤8秒（T95） 工作壓差范圍 0.3MPa 閥體耐壓 3MPa 工作環(huán)境溫度 （5～45）℃ 閥體材料 不銹鋼316L 閥體漏率 1×10-8Pa.m3/s 管道接頭 1/4″卡套接頭 輸入輸出信號 0～5V 供電電源 ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） 外形尺寸mm 130（寬）×102（高）×28（厚） 通訊接口 RS485 MODBUS協(xié)議 直流電源 電源功率 500W 輸出電壓 0～600V 定時長度 65000秒 啟動時間 1～10秒 膜 厚 測 量 電源要求 DC:5V（±10%） *大電流 400mA 分辨率 ±0.03Hz(5-6MHz),0.0136? /測量(鋁) 測量精度 ±0.5%厚度+1計數(shù) 測量周期 100mS～1S/次（可設(shè)置） 測量范圍 500,000 ? (鋁) 晶體頻率 6MHz 通訊接口 RS-232/485串行接口 顯示位數(shù) 8位LED顯示 分子泵 分子泵抽速 80L/S 額定轉(zhuǎn)速 65000rpm 振動值 ≦0.1um 啟動時間 ≦4.5min 停機時間 <7min 冷卻方式 風(fēng)冷 冷卻水溫度 ≦37℃ 冷卻水流速 1L/min 安裝方向 垂直±5° 抽氣接口 150CF 排氣接口 KF40 前級泵 抽氣速率 1.1L/S(VRD-4) 極限真空 5×10-2Pa 供電電源 AC:220V/50Hz 電機功率 400W 噪音 ≦56db 抽氣接口 KF40 排氣接口 KF25 放氣閥 真空腔體上裝有氣動電控放氣閥 整機極限真空 ≦5×10-4Pa 真空腔體升壓率 ≦2.5Pa/h 軟件系統(tǒng) 監(jiān)控管理軟件1套 測試靶材 直徑2英寸厚度3mm的銅靶材2個
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