桌面型偏壓單靶磁控濺射鍍膜儀

產(chǎn)品名稱

桌面型偏壓單靶磁控濺射鍍膜儀

產(chǎn)品型號

CY-MSP180G-1T-B （Bias偏壓）

安裝條件

1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh；

2、設(shè)備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地；

3、額定功率：1500w；

4、設(shè)備用氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%；

5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×850mm，承重 50kg 以上；

6、擺放位置要求通風(fēng)散熱良好。

技術(shù)參數(shù)

1、 濺射電源：直流電源300W；*大輸出電壓600V，極限輸出電流500mA

2、 偏壓電源：輸出電壓<1000V，類型：高頻脈沖直流電源

3、 磁控靶：2英寸平衡靶，配磁耦合擋板；

4、 磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚

5、 腔體尺寸：外徑φ194mm ，內(nèi)徑186mm x 高230mm；

6、 腔體材質(zhì)： 304不銹鋼

7、 旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺：轉(zhuǎn)速1~20rpm  連續(xù)可調(diào)；加熱溫度*高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。

8、 冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機(jī)；

9、 水冷機(jī)：水箱容積9L，流速10L/min

10、 供氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量計(jì)， 氣體類型Ar氣，流量1~30sccm（可定制）；

11、 流量計(jì)精度：±1.5%量程

12、 真空腔體抽氣接口為 KF40；

13、 進(jìn)氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭；

14、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏；

15、 可調(diào)節(jié)濺射電流，可設(shè)置濺射安全電流值、安全真空值；

16、 安全保護(hù)：過流、真空過低自動切斷濺射電流；

17、 極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)；

18、 真空測量為電阻規(guī)真空計(jì)，其量程為：1～10⁵Pa

注意事項(xiàng)

1、磁控濺射工作真空較高，一般在2Pa之內(nèi)，需要配分子泵使用。

2、為了達(dá)到較高的無氧環(huán)境，至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。

3、磁控濺射對進(jìn)氣量比較敏感，需要使用質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)氣量

可選配件

膜厚監(jiān)測儀

1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁）

2、膜厚準(zhǔn)確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置， 材料應(yīng)力，溫度和密度

3、測量速度：100ms-1s/次，可設(shè)置測量范圍：500000?（鋁）

4、標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體：6MHz

5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35

其他配件

1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復(fù)合真空計(jì)，測量范圍10^-5Pa~10⁵Pa）；

CY-GZK60系列小型分子泵組（含復(fù)合真空計(jì)，測量范圍10^-5Pa~10²Pa）

VRD-4雙極旋片真空泵；

2、KF40真空波紋管；長度可選0.5m、1m、1.5m；KF40卡箍支架

3、膜厚儀晶振片；