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帶過(guò)渡艙型雙靶磁控濺射鍍膜儀

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公司名稱鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
品牌
型號(hào)CY-MSP325G-2T-DVC-2DC
所在地
廠商性質(zhì)其他
更新時(shí)間2023/2/16 9:08:52
訪問(wèn)次數(shù)174

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

鄭州成越科學(xué)儀器有限公司位于鄭州*開(kāi)發(fā)區(qū)863軟件園內(nèi)，是一家專業(yè)從事材料制備設(shè)備和材料制備原料代理的高科技公司。重點(diǎn)專注于CVD石墨烯制備設(shè)備、熒光粉燒結(jié)設(shè)備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié)、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向，立志做材料制備技術(shù)及設(shè)備和原料的提供商。鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的“研發(fā)團(tuán)隊(duì)”憑借自身在熱處理技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，先后研發(fā)出了多款材料制備設(shè)備。主要產(chǎn)品有：微波燒結(jié)爐、真空管式爐、箱式電阻爐、高頻感應(yīng)爐、氧化鋯燒結(jié)爐、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐、電池材料燒結(jié)爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐、CVD管式爐等；其他的產(chǎn)品還有：等離子清洗機(jī)、真空手套箱、真空干燥箱、環(huán)境模擬測(cè)試柜、行星球磨機(jī)、高純石英管、99剛玉管、真空法蘭等。鄭州成越科學(xué)儀器有限公司近年來(lái)，在社會(huì)各界的關(guān)心支持下，公司不斷發(fā)展壯大，與國(guó)內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關(guān)系；公司還聘請(qǐng)了多位國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)高校的教授，博導(dǎo)為公司常年的技術(shù)顧問(wèn)，他們時(shí)刻與國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界保持交流，出國(guó)訪問(wèn)，并親臨一線指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā)，使我公司的產(chǎn)品不斷完善，并緊跟世界研究熱點(diǎn)，推出相關(guān)的新產(chǎn)品。產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)歐美、日韓等國(guó)家，并在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)獲得業(yè)界*。如果您正在被國(guó)貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾，選擇我們將改變您對(duì)國(guó)貨的某些觀念；如果您正在為自己的實(shí)驗(yàn)方案的實(shí)施而茫然，選擇我們將有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)為您量身定做！如果您正在為故障設(shè)備的售后無(wú)人理會(huì)而發(fā)愁，選擇我們一切的問(wèn)題將由我們負(fù)責(zé)到底。

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簡(jiǎn)單介紹：本設(shè)備為雙靶磁濺射控鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實(shí)驗(yàn)室SEM樣品制備

帶過(guò)渡艙型雙靶磁控濺射鍍膜儀產(chǎn)品信息

詳情介紹：

本設(shè)備為雙靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實(shí)驗(yàn)室SEM樣品制備。

雙靶磁控濺射鍍膜儀配置結(jié)構(gòu)：

設(shè)備配有兩支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導(dǎo)電金屬膜。同時(shí)設(shè)備具有主腔室和過(guò)渡艙兩部分，過(guò)渡艙配有磁力推桿，兩個(gè)艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進(jìn)行濺射工作的同時(shí)，在過(guò)渡艙裝填樣品，并進(jìn)行真空預(yù)抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過(guò)磁力推桿推入主腔室的樣品臺(tái)。這樣的設(shè)計(jì)能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù)，不僅能有效節(jié)省時(shí)間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質(zhì)量。

雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	帶過(guò)渡艙型雙靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號(hào)	CY-MSP325G-2T-DVC-2DC（double vacuum chamber）
安裝條件	1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh； 2、設(shè)備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地； 3、額定功率：5000w； 4、設(shè)備用氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%； 5、擺放場(chǎng)地尺寸要求 1200mm×1200mm×2000mm； 6、擺放位置要求通風(fēng)散熱良好。
技術(shù)參數(shù)	1、濺射電源：直流電源500W x2；大輸出電壓600V，極限輸出電流1000mA 2、磁控靶：2英寸平衡靶，配磁耦合擋板； 3、磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚導(dǎo)電金屬靶材 4、腔體尺寸：主腔體φ325mm x 410mm；過(guò)渡腔體150x150x150mm 5、腔體功能：主腔體配有密封圈密封的側(cè)開(kāi)門(mén)，帶擋板的石英觀察窗，及轉(zhuǎn)移樣品用的手動(dòng)操作桿。過(guò)渡腔體配有密封圈密封的帶石英視窗的上蓋，運(yùn)送樣品進(jìn)主腔體的磁耦合推桿，獨(dú)立的真空系統(tǒng)。 6、腔體材質(zhì)：不銹鋼304 7、旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺(tái)：轉(zhuǎn)速1~20rpm 連續(xù)可調(diào)；加熱溫度高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。 8、冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機(jī)； 9、水冷機(jī)：水箱容積9L，流速10L/min 10、供氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量計(jì)，氣體類(lèi)型Ar氣，流量1~200sccm（可定制）； 11、流量計(jì)精度：±1.5%量程 12、真空腔體抽氣接口為 CF160； 13、進(jìn)氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭； 14、顯示屏為14工控電腦一體機(jī)； 15、可調(diào)節(jié)濺射電流，可設(shè)置濺射安全電流值、安全真空值； 16、安全保護(hù)：過(guò)流、真空過(guò)低自動(dòng)切斷濺射電流； 17、真空系統(tǒng)：主腔體配有CY-GZK103高真空分子泵組，分子泵抽速600L/s；過(guò)渡腔體配有小型分子泵組，分子泵抽速60L/s。兩組真空系統(tǒng)可獨(dú)立工作和控制，腔室之間及真空系統(tǒng)內(nèi)的氣動(dòng)閥均有程序控制，可實(shí)現(xiàn)一鍵動(dòng)作，方便快捷。 18、極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)； 19、真空測(cè)量為復(fù)合真空計(jì)，其量程為：10^-5Pa～10⁵Pa
注意事項(xiàng)	1、為了達(dá)到較高的無(wú)氧環(huán)境，至少要用高純惰性氣體對(duì)真空腔體清洗 3 次。 2、磁控濺射對(duì)進(jìn)氣量比較敏感，需要使用質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)氣量。 3、設(shè)備不使用時(shí)應(yīng)將腔體保持真空。 4、長(zhǎng)時(shí)間未抽真空，再次使用時(shí)應(yīng)進(jìn)行除氣操作，以提高真空性能。
可選配件
膜厚監(jiān)測(cè)儀	1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁） 2、膜厚準(zhǔn)確度：±0.5%，取決于過(guò)程條件，特別是傳感器的位置，材料應(yīng)力，溫度和密度 3、測(cè)量速度：100ms-1s/次，可設(shè)置測(cè)量范圍：500000?（鋁） 4、標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體：6MHz 5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35
其他配件	1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復(fù)合真空計(jì)，測(cè)量范圍10^-5Pa~10⁵Pa）； CY-GZK60系列小型分子泵組（含復(fù)合真空計(jì)，測(cè)量范圍10^-5Pa~10²Pa） VRD-4雙極旋片真空泵； 2、KF25/40真空波紋管；長(zhǎng)度可選0.5m、1m、1.5m；KF25卡箍支架 3、膜厚儀晶振片；