用于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻 ( 薄層電阻 )、功能材料暗電導(dǎo)和光電導(dǎo)及溫度的變化的特性。
1、本底真空度:≤ 10Pa,真空可控范圍:10 ~ 400Pa;
2、襯底加熱溫度:室溫~ 300℃;
3、測量范圍:電阻率:0.001 ~ 200Ω.cm; 電導(dǎo)率:0.005 ~ 1000 s/cm; 電阻:0.001 ~ 200Ω.cm;可測晶片直徑:200mmX200mm 間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻:≥ 1000MΩ;機(jī)械游移率:≤ 0.3%;探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;探針壓力:5 ~ 16 牛頓 ( 總力 );
4、恒流源:電流量程分為 0.1、1、10、100(mA) 四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào);誤差 <±0.5%;
5、數(shù)字電壓表:量程:0 ~ 199.99mV;分辨率:10μV;四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;輸入阻抗 >1000MΩ:精度 :±0.1%;
6、指針式高阻計(jì):電阻測量范圍:1×10 6 ~ 1×10 17 Ω;精度:±10%~±20%;
微電流測試:1×10 -5 ~ 1×10 -14 A;額定電壓:10、100、250、500、1000V±5%。