IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002
測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode
測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)
標(biāo)準(zhǔn):《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
該測(cè)試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002
IGBT測(cè)試
IGBT測(cè)試項(xiàng)目 | 測(cè)試條件 | 測(cè)試結(jié)果 |
柵極-發(fā)射極柵 極絕緣 | Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V | Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
截止電流 | Vces: 100-2000V,分辨力,1 V 精度:±3% ±10V | Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
閾值電壓 | Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA （可根據(jù)客戶需求擴(kuò)展） | Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
飽和壓降 | Ice: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管壓降 | If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管反向電流 | Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002
MOSFET測(cè)試
MOSFET測(cè)試項(xiàng)目 | 測(cè)試條件 | 測(cè)試結(jié)果 |
柵極-源極絕緣 | Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V | Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
漏極-源極截止電流 | Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
柵極-源極閾值電壓 | Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mA | Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
漏極-源極導(dǎo)通電阻 | Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR |
二極管壓降 | If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管反向電流 | Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002
DIODE測(cè)試
DIODE測(cè)試項(xiàng)目 | 測(cè)試條件 | 測(cè)試結(jié)果 |
二極管壓降 | If:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管反向電流 | Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Id:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
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GBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002
陜西天士立科技有限公司
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