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晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

參考價(jià) ￥ 259000
訂貨量 ≥1套
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱陜西天士立科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)STD2000
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/4/29 16:26:09
  • 訪問(wèn)次數(shù)205
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　　陜西天士立科技有限公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開(kāi)發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來(lái)自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開(kāi)發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)，在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。
 
　　“半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場(chǎng)景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來(lái)料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。
 
　　“環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。
 
　　“電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備；電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)整流裝置；電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源，感應(yīng)加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器；遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)；光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板；SVC無(wú)功靜補(bǔ)裝置等。
 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備，MOS-FET管場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備，光耦參數(shù)測(cè)試儀，二三極管參數(shù)測(cè)試儀，碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備，半導(dǎo)體器件特性分析儀，IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)，實(shí)時(shí)在線高低溫箱，熱流儀，氣流儀
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf
晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

 

半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

 

晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)



晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)


陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）以及IV特性曲線等

 

 

一、產(chǎn)品信息及規(guī)格

產(chǎn)品型號(hào)：STD2000

產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

主機(jī)尺寸：深660*寬430*高210(mm)

主機(jī)重量：＜35kg

主機(jī)功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過(guò) 4000m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；

相對(duì)濕度： 20%RH～75%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護(hù)條件：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；

電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作時(shí)間：連續(xù)；

 

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

三代半：優(yōu)秀的性能應(yīng)對(duì)第三代半導(dǎo)體及傳統(tǒng)器件，Si, sic,GaN 器件

測(cè)試品類：覆蓋 25 類常見(jiàn)的電子元器件及 IC 類，且支持定制擴(kuò)展

功能豐富：輕松表征元器件“靜態(tài)特性”“IV 曲線”“Cxss”“CV”

分析篩選：功能全面，配置豐富，勝任實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)景中各類電參數(shù)表征

量產(chǎn)測(cè)試：1h高達(dá) 7K~12K 的測(cè)試效率，可連接“分選機(jī)”“編帶機(jī)”Prober 接口、16Bin

一鍵加熱：一鍵脈沖自動(dòng)加熱至+130°C，耗時(shí)< 1s

高壓源：1400V (選配 2KV)

高流源：40A(選配 100A,200A,500A)

驅(qū)動(dòng)電壓：20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)

漏電測(cè)量：1nA 漏電持續(xù)穩(wěn)定測(cè)量，表現(xiàn)出優(yōu)秀的一致性和穩(wěn)定性，更有1.5pA 微電流測(cè)量選件可供選擇。

高精度：16 位 ADC/DAC，0.1%精度，1M/S采樣速率

程控軟件：基于Lab VIEW 平臺(tái)開(kāi)發(fā)的填充式菜單軟件界面

夾具工裝：適配各類封裝形式的器件，自動(dòng)識(shí)別器件極性 NPN/PNP

校準(zhǔn)：系統(tǒng)自帶校準(zhǔn)軟件，也可通過(guò) RS232 接口連接數(shù)字表進(jìn)行校驗(yàn)

 

晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)


三、測(cè)試范圍

01. Diode / 二極管（穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋）

02. BJT / 三極管

03. Mosfet & JFET / 場(chǎng)效應(yīng)管

04. SCR / 可控硅（單向/雙向）

05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管

06. OC / 光耦

07. Relay / 繼電器

08. Darlington tube / 達(dá)林頓陣列

09. Current sensor/電流傳感器

10. 基準(zhǔn)IC(TL431)

11. 電壓復(fù)位IC

12. 穩(wěn)壓器（三端/四端）

13. 三端開(kāi)關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器

14. 七端半橋驅(qū)動(dòng)器

15. 高邊功率開(kāi)關(guān)

16. 電壓保護(hù)器（單組/雙組）

17. 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓集成器

18. 壓敏電阻

19.電壓監(jiān)控器


四、測(cè)試參數(shù)

漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS

間接參數(shù)：IL

混合參數(shù)：RDSON、gFS、Input@Output / Regulation


五、應(yīng)用場(chǎng)景

1、測(cè)試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試，主要功能為曲線追蹤儀）

2、失效分析（對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析，查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過(guò)程提出改善方案）

3、選型配對(duì)（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試，將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì)）

4、來(lái)料檢驗(yàn)（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）

5、量產(chǎn)測(cè)試（可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、自動(dòng)化測(cè)試）

6、替代進(jìn)口（半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可替代同級(jí)別進(jìn)口產(chǎn)品）


晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

 

 

六、性能指標(biāo)

 

晶體管參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 

 

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