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激光器LIV測(cè)試脈沖電流源
使用普賽斯激光器LIV測(cè)試脈沖電流源進(jìn)行LIV測(cè)試框圖如下:主要有PL系列設(shè)備、專(zhuān)用連接線(xiàn)、測(cè)試板、積分球、待測(cè)激光器、光接收PD組成。
型號(hào): PL201/202
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 16:38:00
對(duì)比
脈沖直流電源激光器LIV測(cè)試LIV測(cè)試系統(tǒng)窄脈沖電流源脈沖電流源測(cè)
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對(duì)標(biāo)2602b脈沖電流源
對(duì)標(biāo)2602b脈沖電流源實(shí)現(xiàn)了高電流/高速脈沖發(fā)生器,能在10V電壓量程提供脈沖寬度最小為100nS的30A脈沖電流輸出 ,W美適用于垂直腔表面發(fā)射激光器 (V...
型號(hào): PL201/202
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥78888更新時(shí)間:2024/1/30 16:37:02
對(duì)比
脈沖直流電源激光器LIV測(cè)試LIV測(cè)試系統(tǒng)窄脈沖電流源脈沖電流源測(cè)
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IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)...
型號(hào): E300
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 16:26:53
對(duì)比
高電壓源測(cè)單元IGBT器件參數(shù)測(cè)試IGBT高壓測(cè)試國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元國(guó)產(chǎn)SMU源測(cè)單元
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IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)...
型號(hào): E300
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 16:26:53
對(duì)比
高電壓源測(cè)單元IGBT器件參數(shù)測(cè)試IGBT高壓測(cè)試國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元國(guó)產(chǎn)SMU源測(cè)單元
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高電壓源測(cè)單元
高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量電流0~...
型號(hào): E系列
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 16:26:53
對(duì)比
高電壓源測(cè)IGBT擊穿電壓測(cè)試IGBT高壓測(cè)試國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元高電壓源測(cè)量單元
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激光器壽命測(cè)試設(shè)備
普賽斯激光器壽命測(cè)試設(shè)備是專(zhuān)為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開(kāi)發(fā)推出的一套通用性好、大...
型號(hào): LDBIxx系列
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 16:26:05
對(duì)比
激光器老化測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試liv測(cè)試設(shè)備激光器老化系統(tǒng)激光器穩(wěn)定性分析
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高精密源表搭建電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試
高精密源表搭建電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表,普賽斯高精密源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),性?xún)r(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一...
型號(hào): S系列
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:47
對(duì)比
高精度源表電性能測(cè)試儀IV曲線(xiàn)掃描儀國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表SMU模塊
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第三代半導(dǎo)體測(cè)試儀
第三代半導(dǎo)體測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),廠(chǎng)家Z銷(xiāo)!性?xún)r(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告
型號(hào): S100
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:47
對(duì)比
數(shù)字源表半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),廠(chǎng)家Z銷(xiāo)!性?xún)r(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告
型號(hào): S100
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:47
對(duì)比
數(shù)字源表半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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觸摸屏數(shù)字源表對(duì)標(biāo)2450
觸摸屏數(shù)字源表對(duì)標(biāo)2450是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的S先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大輸出電壓達(dá)300V,最...
型號(hào): S300
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:47
對(duì)比
源測(cè)單元半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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太陽(yáng)能電池片性能分析SMU源表
傳統(tǒng)的電源只能輸出電壓或電流,而無(wú)法作為負(fù)載吸收能量,而數(shù)字源表(SMU)是一種可以提供完整的四象限運(yùn)行的精密儀表,當(dāng)工作在第2和第4象限,可以作為阱(負(fù)載)吸...
型號(hào): S200
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
數(shù)字源表電池片性能分析電池IV曲線(xiàn)掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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數(shù)字源表IV掃描納米材料電性能
實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào),還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;...
型號(hào): S型
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
源測(cè)單元納米材料電性能測(cè)試納米材料IV測(cè)試國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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miniled光電特性測(cè)試數(shù)字源表
實(shí)施MiniLED光電特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源,輸出恒壓或恒流、還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;支持...
型號(hào): S100/S200...
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
源測(cè)單元光電特性測(cè)試miniled性能測(cè)試國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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光伏電池IV性能測(cè)試數(shù)字源表
光伏電池IV性能測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表,普賽斯精密型數(shù)字源表(SMU)是對(duì)太陽(yáng)能電池和各種其他器件的I-V特性進(jìn)行表征的Z佳解決方案。其寬廣的電...
型號(hào): S100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥31000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
數(shù)字源表光伏電池性能測(cè)試光伏電池IV曲線(xiàn)掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試儀
電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE ...
型號(hào): S100
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
數(shù)字源表電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試IV曲線(xiàn)掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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高精密源表IV測(cè)試MOS管
高精密源表IV測(cè)試MOS管認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表,普賽斯S系列高精密源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的S先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸...
型號(hào): S300
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
高精度源表半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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第三代半導(dǎo)體材料電性能測(cè)試高電流脈沖電源
第三代半導(dǎo)體材料電性能測(cè)試高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn),詳情上普...
型號(hào): HCPL100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/26 11:17:25
對(duì)比
脈沖電源半導(dǎo)體材料高電流測(cè)試IV曲線(xiàn)掃描高電流脈沖電源大電流脈沖電流源
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第三代半導(dǎo)體材料性能分析高壓電源3500V
普賽斯儀表第三代半導(dǎo)體材料性能分析高壓電源3500V具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量...
型號(hào): E300
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/26 11:08:26
對(duì)比
高壓源測(cè)單元第三代半導(dǎo)體材料測(cè)試IV曲線(xiàn)掃描儀國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元高電壓源測(cè)量單元
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微電流數(shù)字源表IV曲線(xiàn)掃描
普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更...
型號(hào): S型
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/19 14:52:29
對(duì)比
源測(cè)單元分立器件測(cè)試IV曲線(xiàn)掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
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大功率led管liv測(cè)試設(shè)備
針對(duì)千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器,普賽斯推出國(guó)產(chǎn)化極優(yōu)性?xún)r(jià)比大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)解決方案.設(shè)備可擴(kuò)展至4層結(jié)構(gòu),每層設(shè)計(jì)若干路,每路支持1-16只激光器芯片的串...
型號(hào): LDBIxx系列
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/19 13:52:40
對(duì)比
激光器老化測(cè)試設(shè)備大功率led管老化測(cè)試liv測(cè)試激光器老化系統(tǒng)泵浦激光器模塊可靠性分析