第三代半導(dǎo)體材料性能分析高壓電源3500V 返回列表頁(yè)

第三代半導(dǎo)體材料性能分析高壓電源3500V特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

十ms級(jí)的上升沿和下降沿；

單臺(tái)Z大3500V的輸出；

0.1%測(cè)試精度；

同步電流或電壓測(cè)量；

支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試；詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢(xún)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線(xiàn)電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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