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  • 型號(hào) CY-MSP500S-DCRF-B
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  • 廠商性質(zhì) 其他
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更新時(shí)間:2023-02-15 11:54:59瀏覽次數(shù):274

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產(chǎn)品簡介

簡單介紹: 雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(靶下置型)采用靶下置樣品臺(tái)在上方的布局。雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(靶下置型)兩個(gè)靶位,直流射頻雙電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜。

詳細(xì)介紹

詳情介紹:
CY-MSP500S-DCRF-B雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(靶下置型)為我公司研發(fā)的配有兩個(gè)靶位的實(shí)驗(yàn)室專用鍍膜儀,設(shè)備配有一臺(tái)直流電源,一臺(tái)射頻電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。
磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點(diǎn),鍍膜速率高,樣品溫升低,是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層,水冷機(jī)能夠有效的帶走熱量,避免熱量在靶面聚集,使磁控鍍膜能長時(shí)間穩(wěn)定工作。本型號(hào)采用靶下置布局,樣品臺(tái)在上方,與靶面高度可通過程序**可調(diào),并且可旋轉(zhuǎn)加熱,性能優(yōu)異。


名稱

雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(靶下置型)
型號(hào)
CY-MSP500S-DCRF-B
特點(diǎn)
1.能量高速度快
2.采用靶下置布局,樣品臺(tái)在上方,
3.基片與靶面高度可通過程序**可調(diào),并且可旋轉(zhuǎn)加熱
4.采用單靶獨(dú)立、多靶輪流或組合共濺,向心濺射
5.用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系
6.PC+PLC全自動(dòng)控制
技術(shù)參數(shù)
1.  供電電壓 AC220V,50Hz
2.  整機(jī)功率 6KW
3.  極限真空度 5x10-4Pa
4.  載樣臺(tái)參數(shù) 
     尺寸 φ150mm;加熱溫度 *高500℃;控溫精度 ±1℃;高度:上下70mm可調(diào),轉(zhuǎn)速 1-20rpm可調(diào)
5.  磁控濺射頭參數(shù) 
     數(shù)量 2個(gè)2"磁控濺射頭;冷卻方式  10L/min流速的循環(huán)水冷機(jī)
6.  真空腔體 
     尺寸 φ500mm X 490mm H; 材料 不銹鋼; 觀察窗口 φ100mm;上頂開式,便于更換靶材
7.  氣體流量控制器 1路200sccm Ar; 
8.  真空泵 配有一套分子泵系統(tǒng),抽速600L/S
9.  膜厚儀 石英振動(dòng)薄膜測厚儀一臺(tái),分辨率0.10 ?
10. 濺射電源(1DC 1RF)
     直流電源,500W,適用于制備金屬膜
     射頻電源,500W,適用于非金屬鍍膜
11. 操作方式 一體機(jī)電腦操作
規(guī)格
整機(jī)尺寸 1090mm X 900mm X 1250mm
整機(jī)重量 350kg


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