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等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
  • 品       牌
  • 型       號CY-PECVD-T01
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2020/12/31 16:20:27
  • 訪問次數(shù)675
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司位于鄭州*開發(fā)區(qū)863軟件園內(nèi),是一家專業(yè)從事材料制備設(shè)備和材料制備原料代理的高科技公司。重點(diǎn)專注于CVD石墨烯制備設(shè)備、熒光粉燒結(jié)設(shè)備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié)、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向,立志做材料制備技術(shù)及設(shè)備和原料的提供商。 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的“研發(fā)團(tuán)隊”憑借自身在熱處理技術(shù)方面的專業(yè)知識和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),先后研發(fā)出了多款材料制備設(shè)備。主要產(chǎn)品有:微波燒結(jié)爐、真空管式爐、箱式電阻爐、高頻感應(yīng)爐、氧化鋯燒結(jié)爐、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐、電池材料燒結(jié)爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐、CVD管式爐等;其他的產(chǎn)品還有:等離子清洗機(jī)、真空手套箱、真空干燥箱、環(huán)境模擬測試柜、行星球磨機(jī)、高純石英管、99剛玉管、真空法蘭等。 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司 近年來,在社會各界的關(guān)心支持下,公司不斷發(fā)展壯大,與國內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關(guān)系;公司還聘請了多位國內(nèi)外重點(diǎn)高校的教授,博導(dǎo)為公司常年的技術(shù)顧問,他們時刻與國內(nèi)外學(xué)術(shù)界保持交流,出國訪問,并親臨一線指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā),使我公司的產(chǎn)品不斷完善,并緊跟世界研究熱點(diǎn),推出相關(guān)的新產(chǎn)品。產(chǎn)品遠(yuǎn)銷歐美、日韓等國家,并在國內(nèi)外市場獲得業(yè)界*。 如果您正在被國貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾,選擇我們將改變您對國貨的某些觀念;如果您正在為自己的實(shí)驗(yàn)方案的實(shí)施而茫然,選擇我們將有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊為您量身定做!如果您正在為故障設(shè)備的售后無人理會而發(fā)愁,選擇我們一切的問題將由我們負(fù)責(zé)到底。
壓片機(jī)
簡單介紹: 等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣......
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng) 產(chǎn)品信息
詳情介紹:

產(chǎn)品介紹:

      等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。


等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)適用范圍:

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場所??稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域。 

 

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)技術(shù)參數(shù): 

區(qū)

產(chǎn)品型號

CY-O1200-50IIIT

爐管材質(zhì)

高純石英

爐管直徑

50mm

爐管長度

2830mm

爐膛長度

660mm

加熱區(qū)長

200mm+200mm+200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

LCD

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

法蘭接口

1/4英寸卡套接頭,KF16/25/40接頭

可抽真空

4.4E-3Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

區(qū)

產(chǎn)品型號

CY-O1200-50IT

爐管材質(zhì)

高純石英

爐管直徑

50mm

爐管長度

2830mm

爐膛長度

440mm

加熱區(qū)長

400mm

恒溫區(qū)長

200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

LCD

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

法蘭接口

1/4英寸卡套接頭,KF16/25/40接頭

可抽真空

4.4E-3Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

RF

統(tǒng)

功率范圍

0~500W可調(diào)

工作頻率

13.56MHz+0.005%

工作模式

連續(xù)輸出

顯示模式

LCD

匹配阻抗模式

能夠匹配,起輝均勻布滿三溫區(qū)爐管

功率穩(wěn)定度

≤2W

正常工作反射功率

≤3W

放大反射功率

≤70W

諧波分量

≤-50dBc

整機(jī)效率

≥70%

功率因素

≥90%

供電電壓/頻率

單相交流(187V~153V) 頻率50/60Hz

控制模式

內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊

電源保護(hù)設(shè)置

DC過流保護(hù),功放過溫保護(hù),反射功率保護(hù)

冷卻方式

強(qiáng)制風(fēng)冷

起輝長度

在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿三個溫區(qū)的爐體長度

統(tǒng)

四路質(zhì)子流量計

質(zhì)子流量計

流量范圍

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分別對應(yīng)氣體H2、 CH4、 N2、 Ar、

測量精度

±1.5%F.S

重復(fù)精度

±0.2%FS

線性精度

±1%F.S.

響應(yīng)時間

≤4s

工作壓力

-0.15Mpa~0.15Mpa

流量控制

液晶觸摸屏控制,數(shù)字顯示,每路氣體含有針閥單獨(dú)控制

進(jìn)氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

出氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

連接方式

雙卡套接頭

工作溫度

5~45℃

氣體預(yù)混

配氣體預(yù)混裝置

供電電源 

 AC:220V 50/60Hz

統(tǒng)

機(jī)械泵

旋片泵

抽氣速率

1.1L/S   

排氣接口

KF16

真空測量

電阻規(guī)

極限真空

1.0E-1Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

抽氣接口

KF16

軌道

軌道長度

3米,能實(shí)現(xiàn)三溫區(qū)爐子一個爐位長度的滑動,實(shí)現(xiàn)快速升降溫

免責(zé)聲明:本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等),僅供參考??赡苡捎诟虏患皶r,會造成所述內(nèi)容與實(shí)際情況存在一定的差異,請與本公司銷售人員聯(lián)系確認(rèn)。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,本公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您見諒。 

 


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