R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設備（1200℃單溫區(qū) 4路MFC）設備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構(gòu)、質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子泵組等部分構(gòu)成。
特點
1. 相比于其他的石墨烯制備設備，能提供更高的基底真空，提高產(chǎn)物質(zhì)量；2. 能夠利用旋轉(zhuǎn)和傾斜機構(gòu)實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，使顆粒型樣品表面均勻生長產(chǎn)物；
3. 等離子發(fā)生裝置能夠顯著降低反應溫度，提高反應效率。
技術(shù)參數(shù)
| 單溫區(qū)管式爐 | 產(chǎn)品型號 | CY-O1200-100IT | |
| 爐管材質(zhì) | 高純石英 | ||
| 爐管直徑 | 100mm | ||
| 爐管長度 | 1500mm | ||
| 爐膛長度 | 440mm | ||
| 加熱區(qū)長 | 400mm | ||
| 恒溫區(qū)長 | 200mm | ||
| 工作溫度 | 0～1100℃ | ||
| 控溫精度 | ±1℃ | ||
| 控溫模式 | 30段或50段程序控溫 | ||
| 顯示模式 | 高清全彩LCD觸控屏 | ||
| 密封方式 | 304不銹鋼真空法蘭 | ||
| 供電電源 | AC:220V 50/60Hz | ||
| RF輸出系統(tǒng) | 功率范圍 | 0~500W可調(diào) | |
| 工作頻率 | 13.56MHz+0.005% | ||
| 工作模式 | 連續(xù)輸出 | ||
| 匹配阻抗模式 | 能夠匹配，起輝均勻布滿爐管 | ||
| 功率穩(wěn)定度 | ≤2W | ||
| 正常工作反射功率 | ≤3W | ||
| 放大反射功率 | ≤70W | ||
| 諧波分量 | ≤-50dBc | ||
| 整機效率 | ≥70% | ||
| 功率因素 | ≥90% | ||
| 供電電壓/頻率 | 單相交流（187V~153V） 頻率50/60Hz | ||
| 控制模式 | 內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊 | ||
| 電源保護設置 | DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護 | ||
| 冷卻方式 | 強制風冷 | ||
| 起輝長度 | 在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管 | ||
| 供氣系統(tǒng) | 流量計 | 四路質(zhì)子流量計 | |
| 流量范圍 | MFC1量程：0~200sccm MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm MFC4量程：0~500sccm 分別對應氣體H2、 CH4、 N2、 Ar. | ||
| 測量精度 | ±1.5%F.S | ||
| 重復精度 | ±0.2%FS | ||
| 線性精度 | ±1%F.S. | ||
| 響應時間 | ≤4s | ||
| 工作壓力 | -0.15Mpa~0.15Mpa | ||
| 流量控制 | 液晶觸摸屏控制，數(shù)字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制 | ||
| 進氣接口 | 可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 | ||
| 出氣接口 | 可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 | ||
| 連接方式 | 雙卡套接頭 | ||
| 工作溫度 | 5~45℃ | ||
| 氣體預混 | 配氣體預混裝置 | ||
| 排氣系統(tǒng)
| 產(chǎn)品型號 | CY-GZK103-A | |
| 分子泵 | 渦輪分子泵 | ||
| 前級泵 | 雙級旋片泵 | ||
| 抽氣速率 | 分子泵：600L/S | 綜合抽氣性能：30分鐘真空度可達：5×10E-3Pa | |
| 旋片泵：1.1L/S | |||
| 極限真空 | 5×10E-4Pa | ||
| 抽氣接口 | KF40 | ||
| 排氣接口 | KF16 | ||
| 真空測量 | 復合真空計 | ||
| 旋轉(zhuǎn)及傾斜裝置 | 轉(zhuǎn)速范圍 | 0-20rpm | |
| 傾斜角度 | 0-15° | ||
| 進出料 | 自動進料，傾斜后可自動集料 | ||
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